[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 200710127958.7 | 申请日: | 2007-06-29 |
| 公开(公告)号: | CN101097946A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
| 发明(设计)人: | 吴一洙;金锺成;庾弘宇;李光渊 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示装置(OLED)及其制造方法,具体地涉及一种设置有分隔壁结构的有机发光显示装置及其制造方法,该有机发光显示装置能够防止在驱动该装置时出现渐弱(fade-out)现象并且能够提高装置的图像质量。
背景技术
通常,在OLED中,有机发光层形成在两极之间,从而当向正极注入电荷时,电子和空穴相耦合以形成激子,以从其产生具有特定波长的光。
下面将参照图1描述典型的OLED,图1是示意性地示出了典型OLED的结构的剖面图。
参照图1,典型的OLED包括:阳极13,其为位于玻璃基板11上的透明电极并用作正极,在阳极13上依次层叠有空穴注入层15、发光层17和电子注入层19;以及位于电子注入层19上的阴极21,该阴极21用作负极。
通过这种典型的OLED,当向阳极13和阴极21提供驱动电压时,空穴注入层15中的空穴和电子注入层19中的电子分别朝向发光层17移动,从而激励发光层17中的荧光材料。
典型的OLED具有诸如能够以低电压驱动、发光效率高、视角宽、响应速度快等的优点。
根据OLED中所使用的有机材料的种类,可以将所使用的有机材料分为单体(所谓的“单分子”)型和高分子量(所谓的“高分子”)型。
根据所使用的特定有机材料,可以将OLED分为使用单分子有机材料的单分子型OLED、使用高分子有机材料的高分子型OLED、以及同时 使用高分子材料和单分子材料的混合型OLED。
在该方面,下面将参照图2来描述根据现有技术的OLED。图2是根据现有技术的OLED的剖面图。
参照图2,根据现有技术的OLED包括位于玻璃基板51上的作为阳极的第一电极53、以及位于第一电极53上的具有倒锥形形状的分隔壁55a。
此外,在倒锥形分隔壁55a的下方,在第一电极53的两侧上层叠有有机发光层65和作为阴极的第二电极67。
下面将参照图3A至图3D来描述具有这种结构的典型OLED的制造方法。
图3A至图3D是表示根据现有技术的OLED的制造过程的剖面图。
参照图3A,通过溅射在玻璃基板51上形成由诸如ITO(氧化铟锡)的透明电极材料形成的透明电极层53。透明电极层53用作用于阴极的第一电极。
在透明电极层53上层叠诸如氮化硅膜(SiNx)的有机绝缘膜55之后,在有机绝缘膜55上涂覆正性光刻胶57,然后进行预烘焙处理。
为了形成分隔壁,通过使用曝光掩模59的光刻处理,向正性光刻胶57照射紫外光61以对正性光刻胶57进行曝光,然后对曝光的正性光刻胶57进行显影以形成光刻胶图案57a,如图3B所示。
参照图3B,将光刻胶图案57a用作掩模使用刻蚀剂进行刻蚀处理,以选择性地去除有机绝缘膜55,从而在透明电极层53上形成分隔壁55a,如图3C所示。
最后,在去除残留在分隔壁55a上的光刻胶图案57a之后,在透明电极层53和分隔壁55a上形成有机发光层65和由诸如铝的导电材料构成以用作阴极的第二电极67。
这里,尽管图中未示出,但是在有机发光层65之下和之上分别层叠空穴注入层和电子注入层。
但是,根据现有技术的OLED及其制造方法具有如下缺点。
尽管在图中未示出,但是在典型OLED的制造过程中,因为不能使 用光刻处理来形成有机材料图案,所以通过使用遮挡掩模的热淀积方法来淀积有机材料。
但是,如果对淀积使用遮挡掩模,则在形成有机层托衬(mount)时可能会出现盲区(shadow)现象。
因此,当驱动该装置时,在像素的边缘部分出现有机层盲区现象,从而该装置的亮度可能劣化,此外可能出现渐弱,即在图像驱动时图像变模糊的现象,如图2中的“A”所示。
发明内容
因此,为了克服上述问题,本发明的目的是提供一种有机发光显示装置(OLED)及其制造方法,该有机发光显示装置能够防止在驱动OLED显示装置时出现渐弱现象并能够提高OLED装置的图像质量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





