[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 200710127958.7 | 申请日: | 2007-06-29 |
| 公开(公告)号: | CN101097946A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
| 发明(设计)人: | 吴一洙;金锺成;庾弘宇;李光渊 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置的制造方法,该制造方法包括以下步骤:
设置透明基板;
在所述透明基板上形成第一电极;
在所述第一电极上形成第一氮化硅膜和第二氮化硅膜,其中,所述 第一氮化硅膜中的硅与氮之间的组成比不同于所述第二氮化硅膜中的硅 与氮之间的组成比;
选择性地去除所述第一氮化硅膜和第二氮化硅膜,以在所述第一电 极上形成由第一锥形结构和第二锥形结构构成的分隔壁,其中,所述第 一锥形结构具有正锥形形状,所述第二锥形结构具有倒锥形形状,并且, 所述分隔壁的具有正锥形形状的所述第一锥形结构位于所述第一电极与 具有倒锥形形状的所述第二锥形结构之间;以及
在所述分隔壁下方的所述第一电极的两侧上依次形成有机发光层和 第二电极。
2.如权利要求1所述的制造方法,该制造方法还包括以下步骤:在 所述有机发光层之下和之上分别形成空穴注入层和电子注入层。
3.如权利要求1所述的制造方法,其中,由透明材料形成所述第一 电极,由Al形成所述第二电极。
4.如权利要求3所述的制造方法,其中,所述透明材料是ITO。
5.一种有机发光显示装置的制造方法,该制造方法包括以下步骤:
设置透明基板;
在所述透明基板上形成第一电极;
在所述第一电极上形成具有不同的组成比的两个绝缘材料膜,
使用在所述两个绝缘材料膜之间不同的干法刻蚀率,选择性地去除 所述两个绝缘材料膜,以形成具有双膜结构的分隔壁,其中,由具有正 锥形形状的第一锥形结构和具有倒锥形形状的第二锥形结构构成具有所 述双膜结构的所述分隔壁,其中所述分隔壁的具有正锥形形状的所述第 一锥形结构位于所述第一电极与具有倒锥形形状的所述第二锥形结构之 间;
在所述分隔壁下方的所述第一电极的两侧上层叠有机发光层和第二 电极;以及
形成分别形成在所述有机发光层之下和之上的空穴注入层和电子注 入层。
6.如权利要求5所述的制造方法,其中,由无机材料或丙稀基有机 材料形成所述绝缘材料膜。
7.如权利要求5所述的制造方法,其中,所述绝缘材料膜是氧化硅 膜或者氮化硅膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





