[发明专利]有机发光器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710127551.4 申请日: 2007-06-28
公开(公告)号: CN101097945A 公开(公告)日: 2008-01-02
发明(设计)人: 金廷炫;李在允;赵兴烈;李晙硕;崔熙东 申请(专利权)人: LG.菲利浦LCD株式会社
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L21/82
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 徐金国;梁挥
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光 器件 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种有机发光器件及其制造方法。

背景技术

近年来,已经致力研发能够在短时间内处理大量数据的信息处理器件以及能够显示经过处理的数据的显示器件。

显示器件被分为模拟显示器件与数字显示器件。模拟显示器件包括阴极射线管(CRT)等,数字显示器件包括液晶显示器件(LCD)、有机发光器件(OLED)、等离子体显示面板(PDP)等。

由于与模拟显示器件相比数字显示器件纤薄且轻质,因此数字显示器件被广泛应用。

在各种数字显示器件中,OLED的技术发展过程较快。

当在平面图中看时,相关技术的OLED包括在公共电极上排列成栅格形的隔离体,该公共电极形成在基板中。当在截面图中看时,该隔离体具有倒锥形的形状(reversely tapered shape)。

在相关技术的OLED中,通过对有机层构图形成隔离体,该有机层包括光敏有机物质以及溶解光敏有机物质的溶剂。

在形成隔离体的公共电极上进行真空沉积工序以形成有机发光层。然后,在有机发光层上形成像素电极。倒锥形的隔离体电分隔有机发光层和像素电极,而不需任何另外的构图工序。

然而相关技术的OLED存在有机发光层容易由于各种气体、氧气、氢气及湿气的作用而发生退化的问题。为了解决该问题,OLED包括阻挡层,该阻挡层用于防止有机发光层与有害物质,例如各种气体、氧气、氢气、混合物等接触。该阻挡层密封有机发光层。

阻挡层也密封由有机材料形成的隔离体,以及有机发光层。

当阻挡层密封隔离体以及有机发光层时,从隔离体中挥发的溶剂使阻挡层密封的有机发光层的特性严重地退化。从而,显著地损害有机发光层,并由此显著地缩短OLED的寿命。

发明内容

因此,本发明致力于提供一种OLED及其制造方法,其基本上避免了由相关技术的限制和缺点带来的一种或更多问题。

本发明的一个目的在于提供一种OLED,其能够电分隔有机发光层和像素电极,而不需任何另外的构图工序,并防止隔离体产生引起有机发光层退化的气体,由此提供改进性能且延长寿命的OLED。

本发明的附加优点、目的和特征将部分地在后面的描述中得以阐明,部分地通过检验以下描述将对于本领域普通技术人员显而易见,或者可通过实践本发明来认识它们。本发明的目的和其他优点可通过书面描述及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和得到。

为了实现这些目的和其它优点,根据本发明的目的,作为具体和广义的描述,本发明提供了一种有机发光器件,包括:第一电极,设置在基板上;隔离体,以栅格形设置在第一电极上,并具有凹槽形的孤立部分,该孤立部分从入口向孤立部分的内部逐渐扩大;有机发光图案,设置在被隔离体包围的第一电极上,该有机发光图案通过孤立部分分隔开;以及第二电极,设置在有机发光图案上,并通过孤立部分分隔开,其中所述隔离体包括:第一无机图案,设置在第一电极上;以及第二无机图案,设置在第一无机图案上,以形成孤立部分,其中所述孤立部分设置在所述第二无机图案上,其中所述有机发光图案还设置在所述孤立部分内设置的第一无机图案上。

在本发明的另一个实施方式中,提供了一种制造有机发光器件的方法,包括:在基板上形成第一电极;在第一电极上形成栅格形的隔离体,以暴露出像素区,该隔离体具有凹槽形的孤立部分;在被隔离体包围的第一电极上形成有机发光图案,该有机发光图案通过孤立部分彼此分隔开;以及在分隔开的有机发光图案上形成第二电极,该第二电极通过孤立部分分隔,其中所述隔离体包括:第一无机图案,设置在第一电极上;以及第二无机图案,设置在第一无机图案上,以形成孤立部分,其中所述孤立部分设置在所述第二无机图案上,其中所述有机发光图案还设置在所述孤立部分内设置的第一无机图案上。

应该理解,本发明上面的概述和下面的详细说明都是示例性和解释性的,意欲对所要求保护的本发明提供进一步解释。

附图说明

所包括的用于提供对本发明进一步解释并引入构成本申请一部分的附图说明了本发明的实施方式,并与说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中:

图1为根据本发明实施方式的OLED的局部平面图;

图2为沿图1的线I-I′线提取的横截面图;

图3为示出制造根据本发明实施方式的OLED的方法的流程图;

图4为根据本发明实施方式的形成在基板上的第一电极的横截面图;

图5至9为在示出如图4所示的第一电极上形成隔离体的工序的横截面图;以及

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