[发明专利]基板工作台以及热处理装置无效
| 申请号： | 200710127093.4 | 申请日： | 2007-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101114605A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘;村冈佑介;宫路恭祥;长岛靖 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学;株式会社未来视野;光洋热系统株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/00;H01L21/324 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫 |
| 地址： | 日本宫城*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 工作台 以及 热处理 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种基板工作台，用于对基板进行承载，其特征在于，包括：工作台主体；无定形状态的氧化铝保护膜，其形成在所述工作台主体上的基板的承载面上。
2.如权利要求1所述的基板工作台，其特征在于，在所述承载面上形成有压花形状。
3.如权利要求2所述的基板工作台，其特征在于，所述压花形状中的顶面的总面积小于所述承载面的整个面积的50％。
4.如权利要求2或3所述的基板工作台，其特征在于，所述压花形状中顶面的形状近似为圆形。
5.如权利要求4所述的基板工作台，其特征在于，所述圆形的直径小于5mm。
6.如权利要求2所述的基板工作台，其特征在于，所述压花形状的凸部的高度小于100um。
7.如权利要求1所述的基板工作台，其特征在于，所述工作台主体由纯铝或者铝合金形成。
8.一种热处理装置，用于对基板进行冷却或者加热，其特征在于，
所述热处理装置包括用于承载基板的基板工作台，
所述基板工作台包括：工作台主体；无定形状态的氧化铝保护膜，其形成在所述工作台主体上的基板的承载面上。
9.如权利要求8所述的热处理装置，其特征在于，在所述承载面上形成有压花形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
