[发明专利]非易失性存储器单元阵列

权利要求书

1.一种非易失性存储器单元阵列，包括：

沿着沿第一方向平行延伸的第一线和沿第二方向平行延伸的第二线设置的包括源/漏区的多个存储器单元晶体管；

沿所述第一方向平行延伸的多个第一字线，所述第一字线将栅电极提供给沿所述第二方向延伸的所述多个存储器单元晶体管；

沿所述第二方向平行延伸的多个第二字线，所述第二字线将栅电极提供给沿所述第一方向延伸的所述多个存储器单元晶体管，在交叉点处所述第二字线形成在所述第一字线之上；

在所述交叉点处夹在所述第一和第二字线之间的电介质材料；和

沿第三方向平行延伸的多个位线，所述多个位线与所述源/漏区电接触，存储器单元晶体管的两个源极/漏极区分别与所述多个位线中的不同位线通过接触插塞电接触。

2.一种非易失性存储器单元阵列，包括：

细分为第一部分存储器单元晶体管和第二部分存储器单元晶体管的多个存储器单元晶体管，所述多个存储器单元晶体管的每一个包括源/漏区；

沿第一方向平行延伸的多个第一字线和沿第二方向平行延伸的多个第二字线，其中所述第一字线将栅电极提供给所述第一部分存储器单元晶体管，和所述第二字线将栅电极提供给所述第二部分存储器单元晶体管；

在它们的交叉点处夹在所述第一字线和所述第二字线之间的电介质材料；和

沿第三方向平行延伸的多个位线，所述多个位线与所述源/漏区电接触，存储器单元晶体管的两个源极/漏极区分别与所述多个位线中的不同位线通过接触插塞电接触。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器单元阵列，其中所述第一部分存储器单元晶体管沿所述第一方向延伸，和所述第二部分存储器单元晶体管沿所述第二方向延伸。

4.根据权利要求1到3中任一个所述的非易失性存储器单元阵列，还包括形成在半导体衬底内与所述交叉点叠合的多个绝缘区。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器单元阵列，包括浅沟槽隔离、LOCOS和深沟槽隔离的组中至少一个作为绝缘区。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器单元阵列，其中所述多个存储器单元晶体管中的每一个都包括两个源/漏区，在所述第一方向上延伸的所述多个存储器单元晶体管中的相邻两个之间以及在所述第二方向上延伸的所述多个存储器单元晶体管中的相邻两个之间共用所述源/漏区中的每一个，并且所述源/漏区中的每一个形成在横向设置于两个相邻的所述第一字线之间和两个相邻的所述第二字线之间的所述半导体衬底内。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器单元阵列，还包括：

夹在所述半导体衬底的表面和所述第一字线之间的第一电介质叠层结构，所述第一电介质叠层结构与所述第一字线叠合并且将电荷储存区提供给沿所述第二方向延伸的所述存储器单元晶体管；和

夹在所述半导体衬底的所述表面和所述第二字线之间的第二电介质叠层结构，所述第二电介质叠层结构与所述第二字线叠合并且将电荷储存区提供给沿所述第一方向延伸的所述存储器单元晶体管。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器单元阵列，其中所述第一和第二电介质叠层结构包括ONO叠层。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器单元阵列，其中所述第一和第二方向相互垂直，所述第三方向倾斜于所述第一和第二方向成45°角。

10.根据权利要求9所述的非易失性存储器单元阵列，其中所述阵列包括NROM存储器单元。

11.据权利要求书10所述的非易失性存储器单元阵列，其中所述第一和第二字线的宽度及相邻的第一或第二字线之间的横向距离对应所述非易失性存储器单元阵列的最小特征尺寸。