[发明专利]Fe－Co系靶材及其制造方法

说明书

本申请要求2006年5月2日申请的日本专利申请第2006—128224号作为其优先权，其公开的全部内容作为参照并包含在本发明的内容中。

技术领域

本发明涉及用于通过溅射法形成软磁性薄膜的Fe-Co系靶材及其制造方法。

背景技术

近年，由于磁记录技术进步显著，驱动装置大容量化，推进了磁记录媒介的高记录密度化。然而，在现在广大世界中所使用的面内磁记录方式的磁记录媒介中，为了实现高记录密度，则记录位(bit)精细化、要求由记录位不能记录程度的高矫顽力。所以，作为解决这些问题、提高记录密度的方法，研究了垂直磁记录方式。

所谓垂直磁记录方式，是指形成为相对于垂直磁记录体的磁性膜中的媒介面，易磁化轴在垂直方向取向的、高记录密度中适用的方法。在垂直磁记录方式中，开发了具有提高记录灵敏度的磁记录膜层和软磁性膜层的2层记录媒介。该磁记录膜层通常使用CoCrPt—SiO₂系合金。

另一方面，作为2层记录媒介的软磁性膜，提出了使用Fe—Co—B系合金的软磁性膜，例如，如在特开2004—346423号公报中所公开的，在截面微观组织中，不存在硼化物相的领域中描绘的最大内切圆的直径为30μm以下的Fe—Co—B系合金靶材。

在上述软磁性膜的成膜中，通常使用磁控管溅射法。所谓该磁控管溅射法，是指在靶材的背面布置磁铁，通过在靶材的表面使磁通泄漏，在该泄漏磁通领域使等离子体聚束，达到高速成膜的溅射法。该磁控管溅射法由于以在靶材的溅射表面使磁通泄漏为特征，因此靶材本身的导磁率高时，在靶材的溅射表面难以形成磁控管溅射法中所需足够的泄漏磁通量。所以，基于极力降低靶材本身的导磁率的要求，提出了特开2004—346423号公报。

另一方面，靶材的导磁率越低，靶材的厚度可以越厚。即，由一个靶材可以制作更多的薄膜，因此提高了生产率。然而，由于上述历来技术中，导磁率不够低，靶材的厚度的临界值为5mm，如果在其以上的厚度，那么由于在靶表面不出现完全泄漏的磁通，因此存在不能进行正常的磁控管溅射的问题。

发明内容

发明者们现在发现了：混合具有某特定的Fe：Co的质量比的第一原料粉末和具有其他特定的Fe：Co的质量比的第二原料粉末，使得Fe：Co的质量比为8：2～2：8，并且，通过使添加了特定的添加元素为3～15原子％的混合粉末热压成形，从而得到确保高密度并且导磁率比历来的都要低的靶材。

因而，本发明的目的在于：提供一种可以确保高密度并且导磁率比历来的都要低的、由此通过增加靶材的厚度，可以提高薄膜的生产率的Fe—Co系靶材及其制造方法。

即，根据本发明，Fe—Co系靶材的制造方法包括如下工序：

准备Fe：Co的质量比为8：2～7：3的第一原料粉末、和Fe：Co的质量比为2：8～0：10的第二原料粉末；

混合第一原料粉末和第二原料粉末使得Fe：Co的质量比为8：2～2：8，得到混合粉末；

对该混合粉末在1073～1473K的温度下施加100MPa以上的压力进行成形，

在第一原料粉末和第二原料粉末的一个或双方中，添加选自Nb、Zr、Ta和Hf组成的群中的至少一种添加元素，使得添加的元素相对于前述混合粉末的总量合计为3～15原子％。

另外，根据本发明，Fe-Co系靶材可以根据上述方法制造，该Fe-Co系靶材是由85～97原子％的Fe∶Co的质量比为8∶2～2∶8的Fe和Co，和3～15原子％的选自Zr、Nb、Ta和Hf组成的群中的至少一种添加元素组成的具有10～200的导磁率的Fe-Co系合金制造的靶材。

具体实施方式

Fe—Co系靶材的制造方法

在本发明的Fe—Co系靶材的制造方法中，首先，准备Fe：Co的质量比为8：2～7：3的第一原料粉末和Fe：Co的质量比为2：8～0：10的第二原料粉末。通过使第一原料粉末和第二原料粉末的组成在上述范围内，可以有效地降低磁特性(导磁率)。

接着，混合第一原料粉末和第二原料粉末，使得Fe：Co的质量比为8：2～2：8，制得混合粉末。通过混合在该质量比的范围内，可以防止磁特性(导磁率)的增加。