[发明专利]表面处理电解铜箔及其制造方法以及电路基板

说明书

技术领域

本发明涉及电解铜箔的制造时不与转鼓(drum)接触的面(以下称为M面)的Rz、Ra小且表面的凹凸少的表面处理电解铜箔、其制造方法以及使用该表面处理铜箔的电路基板。

背景技术

驱动作为个人电脑、手机和PDA的显示部的液晶显示器的IC安装基板不断地高密度化。IC安装基板因为IC直接搭载于基板膜上，所以被称为覆晶薄膜(COF，Chip on Film)。

覆晶薄膜安装中，通过透过形成了采用铜箔的配线布图的膜的光检测IC位置。作为对覆晶薄膜的辨认性(基于光的IC位置检测能力)有较大影响的因素，有铜箔的表面粗糙度。透过光的膜部为除去了铜电路部以外的不需要的铜箔部的部分，将铜箔贴附于膜上时，铜箔表面的凹凸转印到膜面上而残留。因此，如果铜箔的表面粗糙，则表面的凹凸增大，光通过时可直线通过的光量由于该凹凸而变少，辨认性变差。

现在，多数的电解铜箔考虑到辨认性而通过使用与电解转鼓接触的面(S面，与前述M面相反侧的面)作为与膜部贴合的面来解决，但由于S面转印转鼓表面，因此如果转鼓表面变粗，则必须更换转鼓。特别是如果长时间使用转鼓，则由于随着使用产生的转鼓的粗糙度，铜箔表面(S面)产生条纹，该条纹使辨认性变差，对耐弯曲性、伸长率也产生不良影响，所以转鼓的维持管理费用增加，通常制品的制造成本上升，生产能力也下降。

此外，品质上虽说转鼓表面的条纹的Rz小，但转印于铜箔表面，所以在蚀刻等的时候会带来障碍。

发明内容

以往的表面处理铜箔考虑到辨认性而使用S面作为贴附膜的面，对该S面实施表面处理来解决。但是，如果转鼓表面变粗，则转印该表面的铜箔表面上出现条纹状的凹凸，该凹凸使辨认性变差。因此，为了维持转鼓表面的平滑度，需要频繁地更换转鼓，存在不仅使铜箔的生产性下降且导致成本升高的缺点。

本发明的目的在于提供不采用受到自转鼓表面转印的条纹的影响的S面而具有减少了表面凹凸的平滑的M面的表面处理电解铜箔，通过使用该铜箔，提供可形成精细布图的电路、特别是辨认性良好的印刷电路板、多层印刷电路板、覆晶薄膜(以下将它们统称为电路基板)用的电解铜箔。

本发明的表面处理铜箔的特征在于，对作为电解铜箔的与转鼓接触的面相反侧的面的M面实施了表面处理，该M面的Rz在1.0μm以下，Ra在0.2μm以下。

本发明的表面处理铜箔较好是，在经表面处理的前述M面中，面积为50μm×50μm的范围内的平均直径2μm以上的大小的铜的突起物在3个以下。

此外，较好是在经表面处理的前述M面上贴附膜并通过蚀刻处理除去了前述铜箔后的前述膜的雾度值在30以下。

前述铜箔较好是粒状结晶。此外，前述铜箔较好是抗拉强度在400N/mm2以下且伸长率在3％以上。

另外，较好是在经表面处理的前述M面附着有Ni、Zn、Cr、Co、Mo、P的单质或者它们的合金或水合物中的至少1种以上。

本发明的表面处理铜箔的制造方法具有使用硫酸铜浴以电流密度为20～50A/dm²的条件进行电解镀铜而制造铜箔的工序以及对该铜箔的M面实施表面处理而使该M面的Rz在1.0μm以下、Ra在0.2μm以下的工序，所述硫酸铜浴中，铜浓度为50～80g/l，硫酸浓度为30～70g/l，液温为35～45℃，氯浓度为0.01～30ppm，有机硫类化合物、低分子量胶和高分子多糖类的总添加浓度为0.1～100ppm，TOC(总有机碳)在400ppm以下。

本发明的电路基板在前述表面处理铜箔的M面贴附膜而成。

如果采用本发明，可以提供M面的粗糙度达到Rz在1.0μm以下、Ra在0.2μm以下的平滑的表面处理电解铜箔。因此，本发明的表面处理电解铜箔由于M面的Rz、Ra小，表面的凹凸少，所以作为使用M面的电路基板(印刷电路板、多层印刷电路板、覆晶薄膜)用铜箔，具有良好的辨认性，可以构成精细布图电路。

此外，如果采用本发明的铜箔制造方法，M面的粗糙度平滑，可以长时间使用转鼓，因此可以提供生产性提高、品质得到长时间维持的制造方法，可以提供成本得到控制的电解铜箔。

具体实施方式

本发明中，表面处理铜箔中使用的电解铜箔的厚度较好是1μm～70μm。如果铜箔的厚度小于1μm，则制造时无法从电解转鼓上顺利地剥离，即使剥离也出现皱纹等，无法顺利地卷取，因此是不现实的。

此外，箔厚超过70μm时，超出了COF用或FPC用铜箔的规格，因此是不理想的，但在这些用途之外，如果需要可以不拘泥于上述厚度而采用厚铜箔。