[发明专利]表面处理电解铜箔及其制造方法以及电路基板有效
| 申请号： | 200710126403.0 | 申请日： | 2007-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101126168A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 齋藤貴広;松本貞雄;鈴木裕二 | 申请（专利权）人： | 古河电路铜箔株式会社 |
| 主分类号： | C25D1/04 | 分类号： | C25D1/04;C25D3/38;C25D5/48;H05K1/09 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 徐迅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 处理 电解 铜箔 及其 制造 方法 以及 路基 | ||
1.表面处理电解铜箔，其特征在于，将作为电解铜箔的与转鼓接触面相反侧的M面实施表面处理，该M面的Rz在1.0μm以下，Ra在0.2μm以下。
2.如权利要求1所述的表面处理电解铜箔，其特征在于，在经表面处理的前述M面中，面积为50μm×50μm的范围内具有平均直径2μm以上大小的铜的突起物在3个以下。
3.如权利要求1所述的表面处理电解铜箔，其特征在于，在经表面处理的前述M面上贴附膜并通过蚀刻处理除去前述铜箔后的前述膜的雾度值在30以下。
4.如权利要求1所述的表面处理电解铜箔，其特征在于，前述铜箔为粒状结晶。
5.如权利要求1所述的表面处理电解铜箔，其特征在于，抗拉强度在400N/mm2以下，而且伸长率在3％以上。
6.如权利要求1所述的表面处理电解铜箔，其特征在于，在经表面处理的前述M面附着有Ni、Zn、Cr、Co、Mo、P的单质或者它们的合金或水合物的至少1种以上。
7.表面处理电解铜箔的制造方法，其特征在于，包括使用硫酸铜浴以电流密度为20～50A/dm2的条件进行电解镀铜而制造铜箔的工序以及对该铜箔的M面实施表面处理而使该M面的Rz在1.0μm以下、Ra在0.2μm以下的工序，所述硫酸铜浴中，铜浓度为50～80g/l，硫酸浓度为30～70g/l，液温为35～45℃，氯浓度为0.01～30ppm，有机硫类化合物、低分子量胶和高分子多糖类的总添加浓度为0.1～100ppm，TOC(总有机碳)在400ppm以下。
8.电路基板，其特征在于，在权利要求1所述的表面处理铜箔的前述M面贴附膜而成。
9.电路基板，其特征在于，在通过权利要求7所述的表面处理铜箔的制造方法制造的表面处理铜箔的前述M面贴附膜而成。
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