[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及将多个半导体元件封装在一个封装内并使半导体元件特性提高的半导体装置。

背景技术

作为现有的半导体装置的一实施例，公知有如下的电力用半导体装置封装。将第一电力用MOSFET芯片和第二电力用MOSFET芯片形成层积构造且并联连接，一体地树脂封装。第一及第二电力用MOSFET芯片在电气上具有同一构造，在芯片的表面侧形成源极电极和栅极电极，在芯片的背面侧形成有漏极电极。并且，在引线架上通过焊锡而固定安装有第一电力用MOSFET芯片。第二电力用MOSFET芯片的表面侧配置在第一电力用的MOSFET芯片上。在两芯片间配置电极配线金属板，经由电极配线金属板而将源极电极彼此及栅极电极彼此分别固定安装。另外，第二电力用MOSFET芯片的漏极电极经由金属架与固定有第一电力用MOSFET芯片的漏极电极的引线架电连接(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：(日本)特开2005-302951号公报(第3～4页、第1～2图)

在现有的半导体装置中，如上所述，电气上具有同一构造的第一及第二电力用MOSFET芯片并联连接，基于向栅极电极发送的同一控制信号，进行同一驱动。通过该构造，能够避免封装尺寸的增大，并且降低接通电阻值，可实现额定电流大的电力用半导体装置封装。但是，例如在用于DC-DC转换电路中时，由于第一及第二MOSFET芯片进行同一驱动，故具有在低电流区域电容大，电源能量转换效率降低的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述各问题而构成的，本发明的半导体装置，其将多个半导体元件在一体连接的状态下封装在一个封装内而构成，所述半导体元件在一主面上具有主要流过主电流的主电极和接受控制信号的控制电极，其特征在于，具有：导电板，其相对所述多个半导体元件的主电极一体连接；导电部件，其相对所述多个半导体元件的控制电极分别地连接。因此，在本发明中，在一体地连接的状态的多个半导体元件的主电极上固定有共同的导电板。并且，导电部件与半导体元件的控制电极分别独立地连接。通过该构造，能够分别独立地驱动多个半导体元件，并且可根据目的而改变电流量并进行效率改进。

另外，本发明的半导体装置，其将多个半导体芯片封装在一个封装内而构成，所述半导体芯片在一主面上具有主要流过主电流的主电极和接受控制信号的控制电极，其特征在于，具有：导电板，其相对所述多个半导体芯片的主电极一体连接；导电部件，其相对所述多个半导体芯片的控制电极分别地连接。因此，在本发明中，在多个半导体芯片的主电极上固定共同的导电板。并且，导电部件与多个半导体芯片的控制电极分别独立地连接。根据该构造，通过分别独立地驱动多个半导体芯片，可根据目的而改变电流量并进行效率改进。

另外，在本发明的半导体装置中，所述导电板为平板形状。因此，在本发明中，通过将导电板形成为平板形状，能够将封装的厚度减薄。

另外，在本发明的半导体装置中，所述导电板仅在与所述半导体元件的主电极连接的连接区域具有焊锡润湿性。因此，在本发明中，通过利用焊锡润湿性的自调整技术，能够将导电板和半导体元件的主电极固定。

另外，在本发明的半导体装置中，在所述导电板上形成有多个凹凸形状，所述半导体芯片的主电极在所述导电板的凹部形状区域连接。因此，本发明通过在导电板上形成对应半导体芯片的主电极的多个凹部，能够防止导电板在半导体芯片端部接触。

另外，在本发明的半导体装置中，所述导电板是金属细线。因此，在本发明中，多个半导体元件可对应目的而分别独立地驱动。

在本发明中，在多个半导体元件的主电极上固定有共同的导电板。在多个半导体元件的控制电极中，能够通过个别的导电部件而个别地施加电位。通过该构造，能够分别独立地驱动多个半导体元件。例如，通过将该半导体装置用于DC-DC转换电路，电源能量转换效率在高效率状态下推移。

另外，在本发明中，导电板形成为平板形状。并且，在导电板上形成有焊锡润湿性优良的区域。通过该构造，能够利用采用了焊锡的润湿性的自调整技术，进而可将封装厚度减薄。

另外，在本发明中，在导电板上形成有对应于半导体芯片的主电极的多个凹部。通过该构造，导电板不与在半导体芯片侧面露出的漏极区域短路，可防止半导体芯片的短路。

在本发明中，将多个半导体元件封装在一个封装内。多个半导体元件一体地连接并为一个芯片。通过该构造，可通过一次芯片接合工序而固定多个半导体元件。

另外，在本发明中，在多个半导体元件的控制电极上个别地连接有金属细线。通过该构造，可个别地驱动多个半导体元件。

附图说明