[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法无效
申请号: | 200710124256.3 | 申请日: | 2007-11-02 |
公开(公告)号: | CN101425480A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
发明(设计)人: | 谢雨霖;颜硕廷 | 申请(专利权)人: | 群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;G02F1/1362 |
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地址: | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管基板的制造方法。
背景技术
因为液晶显示装置具有轻薄、辐射少等优点而广泛应用于手机、个人数字助理等便携信息设备。液晶显示装置通常包括一液晶面板与一为该液晶面板提供平面光的背光模组。
请参阅图1,是一种现有技术液晶面板的结构示意图。该液晶面板100通常包括一薄膜晶体管基板101、一彩色滤光片基板102、一夹于该薄膜晶体管基板101和该彩色滤光片基板102之间的液晶层(图未示)与多个光电元件112。
该薄膜晶体管基板101包括一显示区域111与一相邻该显示区域111的非显示区域110。该非显示区域110内设置该多个光电元件112与驱动电路(未标示)。该驱动电路为该液晶面板100提供工作电压与数据信号。该多个光电元件112作为该液晶面板100对光能量感测的感光元件,或者作为能量转换元件,将光能转化为电能,并反馈至该液晶面板100。
该显示区域111内设置多个呈矩阵排布的薄膜晶体管(未标示),该多个薄膜晶体管作为开关元件控制该液晶面板100的每一像素是否加载数据电压,进而控制穿过液晶层的光能量。该彩色滤光片基板102对穿过液晶层的光进行滤色以使该液晶面板100实现彩色显示。
通常,该薄膜晶体管基板101的薄膜晶体管制成之后,需要额外制作该光电元件112并且利用额外的工序将该光电元件112结合于该薄膜晶体管基板101的非显示区域。
然而,该光电元件112是精密元件,利用额外的工序将其结合于该薄膜晶体管基板101的过程中,该光电元件112极易受外界影响(如静电、碰撞等)而损坏,导致采用此种制造方法制得的薄膜晶体管基板101可靠性较差。
发明内容
为了解决现有技术薄膜晶体管基板的制造方法制得的薄膜晶体管基板可靠性较差的技术问题,有必要提供一种使薄膜晶体管基板可靠性较好的薄膜晶体管基板的制造方法。
一种薄膜晶体管基板的制造方法,其包括:提供一基板;在该基板上形成一像素电极、一薄膜晶体管与一光电元件。该薄膜晶体管包括一栅极、一源极与一漏极,该光电元件包括一第一电极与一第二电极。该源极与该漏极是在同一步骤中形成,且该第一电极与该第二电极中至少之一与下列中至少之一在同一步骤中形成:该像素电极、该栅极、该源极。
一种薄膜晶体管基板的制造方法,其包括:提供一基板;在该基板上形成一像素电极、一薄膜晶体管与一光电元件,该薄膜晶体管包括一栅极、一源极与一漏极,该光电元件包括一第一电极与一第二电极。该源极与该漏极是在同一步骤中形成,且该第一电极与下列中之一在同一步骤中形成:该像素电极、该栅极、该源极。
该薄膜晶体管基板的制造方法中,该光电元件与薄膜晶体管形成在基板上,且光电元件的第一电极与第二电极中至少之一是与下列中至少之一在同一步骤中形成:像素电极、薄膜晶体管的栅极与薄膜晶体管的源极。该制造方法中,无需将光电元件结合在薄膜晶体管基板的工序,可避免将光电元件结合在薄膜晶体管基板过程中光电元件受损害,使薄膜晶体管基板的可靠性较好。
附图说明
图1是一种现有技术液晶面板的结构示意图。
图2是本发明一种液晶面板的薄膜晶体管基板的截面示意图。
图3是图2所示薄膜晶体管基板的制造方法流程图。
图4至图9是图2所示薄膜晶体管基板的制造方法各步骤的结构示意图。
图10是本发明另一种液晶面板的薄膜晶体管基板的截面示意图。
图11至图14是图10所示薄膜晶体管基板的制造方法各步骤的结构示意图。
具体实施方式
请参阅图2,是本发明一种液晶面板的薄膜晶体管基板的截面示意图。该薄膜晶体管基板200包括一透明绝缘的基板210、多个薄膜晶体管211、多个光电元件212与一像素电极207。其中,该多个薄膜晶体管211、该多个光电元件212与该像素电极207设置在该基板210同侧,且该薄膜晶体管211与该光电元件212相互绝缘。
该薄膜晶体管211包括一位于该基板210上的栅极201、一覆盖该栅极201的栅极绝缘层202、一在该栅极绝缘层202上依次层叠设置的非掺杂非晶硅层203与掺杂非晶硅层204、一位于该掺杂非晶硅层204与该栅极绝缘层202上的源极205与漏极225、一位于该源极205、漏极225与该栅极绝缘层202上的钝化层206。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造