[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板的制造方法，其包括：提供一基板；在该基板上形成一像素电极、一薄膜晶体管与一光电元件，该薄膜晶体管包括一栅极、一源极与一漏极，该源极与该漏极在同一步骤中形成，该光电元件包括一第一电极与一第二电极；其特征在于：该第一电极与该第二电极中至少之一与下列中至少之一在同一步骤中形成：该像素电极、该栅极、该源极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：该像素电极与该第一电极在同一步骤中形成，且像素电极与该第一电极相互间隔且绝缘。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：其进一步包括在第一电极上依次沉积一第一掺杂非晶硅薄膜、一非晶硅薄膜、一第二掺杂非晶硅薄膜与一导电薄膜，并进行刻蚀，保留第一掺杂非晶硅薄膜、非晶硅薄膜、第二掺杂非晶硅薄膜、导电薄膜与第一电极重叠部分，形成光电元件的第一掺杂非晶硅层、非晶硅层、第二掺杂非晶硅层与光电元件的第二电极的步骤。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：该薄膜晶体管的源极与漏极和光电元件的第一电极在同一步骤中形成，且源极和漏极与光电元件的第一电极相互间隔且绝缘。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：其进一步包括于第一电极上依次沉积一第一掺杂非晶硅薄膜、一非晶硅薄膜与一第二掺杂非晶硅薄膜，并进行刻蚀，保留第一掺杂非晶硅薄膜、非晶硅薄膜、第二掺杂非晶硅薄膜与第一电极重叠部分，形成光电元件的第一掺杂非晶硅层、非晶硅层、第二掺杂非晶硅层的步骤。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：其进一步包括于该薄膜晶体管的源极、漏极与该第二掺杂非晶硅层上形成绝缘层；对该绝缘层进行刻蚀，去除该绝缘层覆盖光电元件第二掺杂非晶硅层部分，保留绝缘层覆盖光电元件侧边的部分，从而形成薄膜晶体管的钝化层的步骤。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：进一步包括如下步骤：在该钝化层与第二非掺杂非晶硅层上沉积一透明导电层，对透明导电层进行刻蚀，形成相互间隔且绝缘的像素电极与光电元件的第二电极。

8.一种薄膜晶体管基板的制造方法，其包括：提供一基板；在该基板上形成一像素电极、一薄膜晶体管与一光电元件，该薄膜晶体管包括一栅极、一源极与漏极，该光电元件包括一第一电极与一第二电极；该源极与该漏极是在同一步骤中形成，其特征在于：该第一电极是与下列中之一在同一步骤中形成：该像素电极、该栅极、该源极。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：该像素电极与该第一电极在同一步骤中形成，且像素电极与该光电元件的第一电极相互间隔且绝缘。

10.如权利要求8所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：该薄膜晶体管的源极与漏极和光电元件的第一电极在同一步骤中形成，且源极和漏极与光电元件的第一电极相互间隔且绝缘，还在同一步骤中形成像素电极与光电元件的第二电极，且像素电极与该第二电极相互间隔且绝缘。