[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-LiquidCrystal Display；以下简称：TFT-LCD)，尤其涉及一种TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法。

背景技术

TFT-LCD因其体积小，功耗低、无辐射等特点，占据了当前平板显示器市场的主导地位。TFT-LCD器件是由阵列玻璃基板和彩膜玻璃基板对盒形成的。在阵列基板中相互交错地设置有定义像素区域的栅极扫描线和信号扫描线，在各像素区域中设置像素电极和薄膜晶体管。驱动信号施加到栅极扫描线上，图像数据信号通过信号扫描线施加到像素电极上。在彩膜基板上配置黑矩阵，使光不能透过除了像素电极以外的区域，在各像素区域设置彩模层，在此基础上再设置公共电极。在阵列玻璃基板和彩膜玻璃基板中充入液晶，通过上述的驱动信号和像素电极电压来控制液晶的偏转，从而控制光线的强弱，与彩膜玻璃基板相配合，在基板上显示图像信息。

目前，主流的TFT-LCD的阵列玻璃基板的栅极扫描线和信号扫描线是相互交错的，二者通过绝缘层和有源层隔离，即在传统的TFT-LCD制造工艺中，是在绝缘层的上面直接沉积有源层，然后在有源层上面形成信号扫描线。像素电极的各个部分，例如栅极扫描线，信号扫描线和公共电极等均位于同一个阵列玻璃基板平面上，且相互距离较近，因此引起了电容效应，其中，栅极扫描线和信号扫描线之间的寄生电容的影响最大。随着整个屏幕上的寄生电容分布的不均匀，存储电容的值也就随之变化，整个屏幕就会呈现出色彩分布的不均匀，使得画面品质下降。而且随着TFT-LCD尺寸的不断增加，由于电容效应(以下简称：RCdelay)而造成的信号扫描线的信号延迟现象变得更加严重，像素的充放电时间受到了严重的制约，限制了液晶屏反应速度的提升。并且，在阵列玻璃基板的制作过程中，栅极扫描线和信号扫描线的交错位置上比较容易发生静电击穿(以下简称：ESD)现象，静电在制作过程中逐渐积累，最终可击穿用于隔离穿栅极扫描线和信号扫描线的绝缘层和有源层，导致栅极扫描线和信号扫描线短路，引起亮线不良。

发明内容

本发明的第一个方面是提供一种TFT-LCD阵列基板结构，该结构可减少寄生电容、信号扫描线信号延迟以及栅极扫描线和信号扫描线之间短路、ESD现象，提高画面品质。

本发明的第二个方面是提供一种TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，该方法可降低TFT-LCD阵列基板产品的不良率。

本发明第一个方面通过一些实施例提供了如下的技术方案：

一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构，包括基板，形成在基板上的相互交错的栅极扫描线和信号扫描线，形成在所述栅极扫描线和信号扫描线之间的绝缘层和有源层，在所述栅极扫描线和信号扫描线交错位置上，所述绝缘层和有源层之间具有空气隙。

第一方面的实施例所涉及的TFT-LCD阵列基板结构，可以减小栅极扫描线和信号扫描线之间的电容效应，从而减小由于RC delay现象引起的信号扫描线的信号延迟，提高屏幕的反应速度；还可以减小栅极扫描线和信号扫描线的交叉位置处产生ESD等不良现象的几率，在一定程度上提升了产品成品率和画面品质。

本发明第二个方面通过另一些实施例提供了如下的技术方案：

在基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和刻蚀工艺形成栅极扫描线；

在所述基板上沉积绝缘层；

在沉积有绝缘层的所述基板的基础上涂敷光刻胶，再通过光刻工艺和刻蚀工艺使光刻胶保留在所述栅极扫描线与信号扫描线交错位置上；

在所述基板上沉积有源层，通过光刻工艺和刻蚀工艺使有源层在所述栅极扫描线方向上部分覆盖光刻胶；

通过剥离工艺，剥离位于所述绝缘层和所述有源层之间的所述光刻胶，剥离工艺后，在所述绝缘层和所述有源层之间形成空气隙；

在所述基板上面沉积金属薄膜，通过光刻工艺和刻蚀工艺形成信号扫描线。

第二方面的实施例所涉及的TFT-LCD阵列基板制造方法，可降低TFT-LCD阵列基板产品的不良率，提升画面品质。

下面结合附图和具体实施例进一步说明本发明的技术方案。

附图说明

图1为本发明具有空气隙结构阵列基板结构示意图；

图2a为本发明在基板上沉积栅金属薄膜示意图；

图2b为本发明在基板上形成栅极扫描线示意图；

图3为本发明在基板上沉积绝缘层示意图；

图4a为本发明在基板上涂敷光刻胶示意图；

图4b为本发明光刻胶经过光刻工艺处理示意图；