[发明专利]用以提升存储器装置的可靠度的系统及其方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种集成电路(integrated circuit，IC)设计，特别是有关于一种用以提升存储器装置的可靠度的系统及方法。

背景技术

存储器装置一般包含多个存储器区块(bank)，这些存储器区块分别耦接到控制其操作的多个电路模块。存储器区块通常包含多个设置为行与列的存储器单元(cell)。除了这些主存储器单元列(regular memory cell row)之外，存储器区块也会包含一个备用存储器单元列(redundant memory cell row)。传统地，此备用存储器单元列被预留来取代故障(defective)的主存储器单元列。通过将备用存储器单元列重新定址到故障的主存储器单元列的方式，可在不用重新改变存储器装置的实际绕线布局下，完成上述取代动作。

一般而言，备用存储器单元列只有在主存储器单元列为故障时才会被用到。然而，即使通过最小功能性需求测试的主存储器单元列可视为未故障，但是其可能相当不可靠。此不可靠的主存储器单元列可能会在数百个操作周期后便发生故障而造成存储器装置发生问题。因此，现有不能利用备用存储器单元列来取代不可靠但却未发生故障的主存储器单元列的架构并不能对存储器装置的可靠度产生影响。

此外，现有架构一般还需用到一个外部测试装置来代替内嵌于存储器装置中的一个电路模块，因此较费时也较浪费成本。

因此，需要一种可更有效的利用备用存储器单元列来提升存储器装置的可靠度的方法及系统。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种用以提升一存储器装置的可靠度的系统。

于一本发明的实施例中，一种用以提升存储器装置的可靠度的系统包括一或多个存储器区块，其中每一所述存储器区块具有一或多个主存储器单元列(regular memory cell rows)以及一或多个备用存储器单元列(redundant memory cell rows)。至少一内建自我测试(BIST)单元耦接至所述存储器区块，用以测试所述备用存储器单元列以判断其相对应的电荷储存时间，并测试所述主存储器单元列以辨别出未通过一既定电荷储存时间的主存储器单元列。至少一内建自我修复(BISR)单元耦接至该内建自我测试单元，用以利用一具有一等于或高于该既定电荷储存时间的电荷储存时间的备用存储器单元列取代未通过该既定电荷储存时间的该主存储器单元列。其中，该BI S T单元重复地测试所述主存储器单元列多次，并且于每一次使用一不同的电荷储存时间测试。

本发明所述的用以提升存储器装置的可靠度的系统，当辨别出未通过该既定电荷储存时间的该主存储器单元列时，该内建自我测试单元停止对所述主存储器单元列的测试。

本发明所述的用以提升存储器装置的可靠度的系统，更包括一或多个移位寄存器，其耦接至所述主存储器单元列，用以储存一或多个表示与其对应的备用存储器单元列的电荷储存时间的品质指标。

本发明所述的用以提升存储器装置的可靠度的系统，每一所述品质指标包括一串的位。

本发明所述的用以提升存储器装置的可靠度的系统，该内建自我修复单元通过将未通过该既定电荷储存时间的该主存储器单元列的一地址储存在与其对应的该备用存储器单元列有关的该移位寄存器中，以利用未通过该既定电荷储存时间的该主存储器单元列所对应的该备用存储器单元列取代未通过该既定电荷储存时间的该主存储器单元列。

本发明所述的用以提升存储器装置的可靠度的系统，该内建自我修复单元通过移位所述移位寄存器的逻辑位置，以储存未通过该既定电荷储存时间的该主存储器单元列的该地址，用以使该内建自我修复单元可将该地址载入到与未通过该既定电荷储存时间的该主存储器单元列所对应的该备用存储器单元列有关的该移位寄存器中。

本发明所述的用以提升存储器装置的可靠度的系统，更包括至少一储存模块，其耦接至该内建自我修复单元，用以永久地储存所述移位寄存器的值。