[发明专利]使用开关谐振器的CMOS天线开关的系统、方法和设备无效

专利信息
申请号: 200710110603.7 申请日: 2007-06-04
公开(公告)号: CN101090280A 公开(公告)日: 2007-12-19
发明(设计)人: 安敏植;李彰浩;张在浚;禹王命;金学善;乔伊·拉斯卡尔 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H04B1/40 分类号: H04B1/40;H04B7/00;H03K17/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 章社杲;尚志峰
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 使用 开关 谐振器 cmos 天线 系统 方法 设备
【权利要求书】:

1.一种用于设置CMOS天线开关的方法,包括:

设置天线,用于在至少一个射频(RF)频带上发送和接收信号;

将所述天线连接到发送开关,其中,接通所述发送开关,以将第一信号发送到所述天线,以及断开所述发送开关以防止所述第一信号发送到所述天线;以及

将所述天线连接到接收器开关,当所述接收器开关接通时形成滤波器,并且当所述接收器开关断开时形成谐振电路,其中,所述滤波器被设置为接收由所述天线接收的第二信号,以及其中,所述谐振电路至少阻止所述第一信号的接收。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,在将所述第一信号发送到所述天线期间,所述发送开关接通,并且所述接收器开关断开,以形成所述谐振电路。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,在接收来自所述天线的所述第二信号期间,所述发送开关断开,并且所述接收器开关接通,以形成所述滤波器。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,当所述接收器开关接通时,所述滤波器为低通滤波器。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述发送开关包括从源极到漏极级联的多个CMOS晶体管,从而增大了所述级联的CMOS晶体管的击穿电压。

6.根据权利要求5所述的方法,其中,每个CMOS晶体管均包括主体衬底,并且进一步包括将至少一个主体衬底连接到地的电阻器。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述接收器开关包括第一CMOS开关和第二CMOS开关,其中,所述第一CMOS开关和所述第二CMOS开关打开以形成所述滤波器,以及其中,所述第一CMOS开关和所述第二CMOS开关闭合以形成所述谐振器。

8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述谐振电路通过低噪声放大器(LNA)来至少阻止所述第一信号的接收。

9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述发送开关包括第一开关和第二开关,其中,所述第一开关在第一频率接通以形成到所述天线的第一信号发送路径,以及其中,所述第二开关在不同于所述第一频率的第二频率接通以形成到所述天线的第二信号发送路径。

10.一种用于CMOS天线开关的系统,包括:

天线,用于在至少一个射频(RF)频带上发送和接收信号;

发送开关,连接到所述天线,其中,所述发送开关接通以将相应的第一信号发送到所述天线,以及所述发送开关断开以防止所述第一信号发送到所述天线;以及

接收器开关,连接到所述天线,其中,当所述接收器开关接通时形成滤波器,并且当所述接收器开关断开时形成谐振电路,其中,所述滤波器被设置为接收由所述天线接收的第二信号,以及其中,所述谐振电路至少阻止所述第一信号的接收。

11.根据权利要求10所述的系统,其中,在将所述第一信号发送到所述天线期间,所述发送开关接通,并且所述接收器开关断开,以形成所述谐振电路。

12.根据权利要求10所述的系统,其中,在接收来自所述天线的所述第二信号期间,所述发送开关断开,并且所述接收器开关接通,以形成所述滤波器。

13.根据权利要求10所述的系统,其中,当所述接收器开关接通时,所述滤波器为低通滤波器。

14.根据权利要求10所述的系统,其中,所述发送开关包括从源极到漏极级联的多个CMOS晶体管,从而增大了所述级联的CMOS晶体管的击穿电压。

15.根据权利要求14所述的系统,其中,每个CMOS晶体管均包括主体衬底,并且进一步包括将至少一个主体衬底连接到地的至少一个电阻器。

16.根据权利要求10所述的系统,其中,所述接收器开关包括第一CMOS开关和第二CMOS开关,其中,所述第一CMOS开关和所述第二CMOS开关打开以形成所述滤波器,以及其中,所述第一CMOS开关和所述第二CMOS开关闭合以形成所述谐振器。

17.根据权利要求10所述的系统,其中,所述谐振电路通过低噪声放大器(LNA)来至少阻止所述第一信号的接收。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电机株式会社,未经三星电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710110603.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top