[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，该半导体器件包含制作在半导体衬底主表面第一区中的n沟道导电型场效应晶体管，和制作在不同于半导体衬底主表面第一区的第二区中的p沟道导电型场效应晶体管，此方法包括以下步骤：

制作具有应力的绝缘膜，使之覆盖制作在第一区上的第一栅电极和制作在第二区上的第二栅电极；

对栅绝缘膜进行各向异性腐蚀来制作第一栅电极侧壁上的第一侧壁隔层和第二栅电极侧壁上的第二侧壁隔层；以及

在掩蔽第一区的状态下对第二区离子注入IV族元素来破坏第二侧壁隔层的结晶性。

2.根据权利要求1的制作半导体器件的方法，

其中存在于绝缘膜中的应力为张应力，且在离子注入IV族元素后第一侧壁隔层张应力的大小大于第二侧壁隔层的张应力。

3.根据权利要求1的制作半导体器件的方法，

其中存在于绝缘膜中的应力为压应力，且在离子注入IV族元素后第一侧壁隔层压应力的大小大于第二侧壁隔层的压应力。

4.根据权利要求1的制作半导体器件的方法，还包括以下步骤：

在制作第一和第二侧壁隔层的步骤之后，在用掩模覆盖第一区的状态下，对第二区离子注入杂质来制作与第二侧壁隔层对准的半导体区，

其中离子注入IV族元素的步骤使用掩模进行。

5.根据权利要求4的制作半导体器件的方法，

其中离子注入IV族元素的步骤在离子注入杂质的步骤之前进行。

6.一种制作半导体器件的方法，所述半导体器件包含场效应晶体管，该方法包括以下步骤：

在半导体衬底主表面上制作半导体膜；

离子注入杂质以降低半导体膜的电阻值；以及

对半导体膜刻图形来制作栅电极；并且

向半导体膜离子注入与该半导体膜同族的元素。

7.根据权利要求6的制作半导体器件的方法，还包括以下步骤：

在离子注入杂质的步骤之后，用热处理激活杂质，

其中离子注入与半导体膜同族元素的步骤是在用热处理激活杂质的步骤之前进行的。

8.根据权利要求6的制作半导体器件的方法，还包括以下步骤：

在离子注入杂质的步骤之后，用热处理激活杂质，

其中离子注入与半导体膜同族元素的步骤是在离子注入杂质的步骤之前进行的。

9.根据权利要求6的制作半导体器件的方法，

其中的半导体膜为硅膜，元素为Ge离子。

10.根据权利要求6的制作半导体器件的方法，还包括以下步骤：

对与半导体衬底主表面的栅电极对准的区域离子注入元素；以及

对与栅电极对准的区域离子注入杂质，

其中对半导体膜离子注入时元素的加速能量高于对与栅电极对准的区域离子注入时元素的加速能量。

11.根据权利要求6的制作半导体器件的方法，还包括以下步骤：

对与半导体衬底主表面的栅电极对准的区域离子注入元素；以及

对与栅电极对准的区域离子注入杂质，

其中对半导体膜离子注入时元素的剂量高于对与栅电极对准的区域离子注入时元素的剂量。

12.一种制作半导体器件的方法，该半导体器件包含制作在半导体衬底主表面第一区中的n沟道导电型场效应晶体管，和制作在不同于半导体衬底主表面第一区的第二区中的p沟道导电型场效应晶体管，此方法包括以下步骤：

在半导体衬底主表面的第一和第二区上制作半导体膜；

离子注入杂质来减小半导体膜的电阻值；

对半导体膜刻图形来分别对半导体衬底主表面的第一和第二区制作栅电极；以及

用热处理来激活杂质；并且

在制作半导体膜的步骤之后和用热处理激活杂质的步骤之前，对半导体膜离子注入与该半导体膜同族的元素。