[发明专利]抗静电膜及包含该膜的制品

权利要求书

1.一种抗静电膜，其包括：

基膜；和

导电层，其位于基膜的一个表面上以提供导电性；和

保护层，其位于导电层的与基膜相对的表面上以保护导电层，该 保护层包括高分子成膜聚合物和用于抑制膜表面导电性下降的粒子， 其中至少一部分粒子的粒径大于保护层本身厚度，而且基于保护层的 总重量，所述用于抑制膜表面导电性下降的粒子的含量为0.3-2wt％。

2.权利要求1的抗静电膜，其表面电阻率为1×10⁴到1×10¹¹欧姆/平 方。

3.权利要求1的抗静电膜，其中所述保护层的厚度不大于12微米。

4.权利要求3的抗静电膜，其中所述保护层的厚度不大于5微米。

5.权利要求4的抗静电膜，其中所述保护层的厚度不大于2微米。

6.权利要求5的抗静电膜，其中所述保护层的厚度为0.2-1微米。

7.权利要求1的抗静电膜，其中以所述粒子的总数计，粒径大于 膜厚的粒子的数量占百万分之一以上。

8.权利要求7的抗静电膜，其中以所述粒子的总数计，粒径大于 膜厚的粒子的数量占十万分之一以上。

9.权利要求1的抗静电膜，其中所述粒子选自金属粒子、碳黑、 碳纳米管、导电或半导电聚合物粒子、涂了导电或半导电材料的聚合 物粒子、金属氧化物粒子及它们的各种混合物的组合。

10.权利要求1的抗静电膜，其中所述保护层中还包含增加抗粘性 的粒子，该抗粘性粒子与所述用于抑制膜表面导电性下降的粒子可以 是一种粒子，也可以是不同粒子。

11.权利要求1的抗静电膜，其中所述导电层为金属层。

12.权利要求1的抗静电膜，其中所述导电层为金属氧化物层。

13.权利要求1的抗静电膜，其中所述导电层为导电聚合物层。

14.权利要求1的抗静电膜，其中所述导电层为用选自碳黑、碳纳 米管、金属粉、金属氧化物、及其混合物的粒子填充的聚合物材料层。

15.权利要求1的抗静电膜，其中所述导电层的表面电阻率不高于 1×10¹⁰欧姆/平方。

16.权利要求15的抗静电膜，其中所述导电层的表面电阻率不高 于1×10⁷欧姆/平方。

17.权利要求16的抗静电膜，其中所述导电层的表面电阻率不高 于1×10⁵欧姆/平方。

18.权利要求1的抗静电膜，其中所述成膜聚合物选自聚氨酯，环 氧树脂，丙烯酸聚合物及它们的混合物。

19.权利要求1的抗静电膜，其中所述用于抑制膜表面导电性下降 的粒子的平均粒径为50微米以下。

20.权利要求19的抗静电膜，其中所述用于抑制膜表面导电性下 降的粒子的平均粒径为15微米以下。

21.权利要求20的抗静电膜，其中所述用于抑制膜表面导电性下 降的粒子的平均粒径为10微米以下。

22.一种盖带，其包括如权利要求1-21中任意一项所述的抗静电膜。

23.权利要求22的盖带，其结构还包括：

胶粘层，其分别设置在与导电层相对的那个保护层表面的邻近相 对的长边的部分上；

撕裂刻槽，其分别沿着所述相对的长边的方向直接设置在抗静电 膜的保护层那一侧；

离形剂层，其设置在与导电层相对的那个基膜表面上。

24.权利要求23的盖带，其中的胶粘层为压敏胶层。