[发明专利]再现存储在光学信息存储介质中的信息的设备无效

专利信息
申请号: 200710109079.1 申请日: 2003-08-27
公开(公告)号: CN101075461A 公开(公告)日: 2007-11-21
发明(设计)人: 沈载晟;李坰根;朴仁植;郑钟三;尹斗燮;马炳寅;朴贤洙 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11B20/10 分类号: G11B20/10;G11B20/12
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 郭鸿禧;韩素云
地址: 韩国京畿道*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 再现 存储 光学 信息 介质 中的 设备
【说明书】:

本申请是申请日为2003年8月27日、申请号为03820796.6、发明名称为“光学信息存储介质以及将信息记录在该光学信息存储介质上和/或从该光学信息存储介质再现信息的方法和设备”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种光学信息存储介质和一种将信息记录在该光学信息存储介质上和/或从该光学信息存储介质再现信息的方法,更具体地讲,涉及一种具有在其上被处处记录为凹坑的数据的光学信息存储介质,并且在该光学信息存储介质的引入区域的一部分中使用的第一记录调制方法和在剩余区域中使用的第二记录调制方法不同,以及一种将信息记录在该光学信息存储介质上和/或从该光学信息存储介质再现信息的方法。

背景技术

光盘通常用作以非接触方式将信息记录在光盘和/或从光盘再现信息的光学拾取装置的信息存储介质。光盘根据其记录容量被分为致密盘(CD)或数字多功能盘(DVD)。CD和DVD还包括650MB的CD-R、CD-RW、4.7GB的DVD+RW、DVD-随机存取存储器(DVD-RAM)、DVD-R/可重写(DVD-RW)等。只读盘包括650MB的CD、4.7GB的DVD-ROM等。此外,具有20GB或更多记录容量的高密度数字多功能盘(HD-DVD)已经被开发。

但是,上述光学信息介质根据其类型被标准化,以在再现装置中被兼容地使用。因此,用户能够方便地使用光学信息介质,并且购买该光学信息介质的费用被降低。将没有被标准化的新存储介质标准化的尝试已经被做出。具体地讲,新存储介质的格式必须被开发,从而新存储介质与现有的存储介质兼容或一致。但是,现有的存储介质使用将数据记录为凹坑或凹槽摆动的方法。这里,凹坑是当盘被制造时在基片中被物理地形成的刻痕,凹槽摆动是以波形形成的凹槽。另外,凹坑信号被检测为抖动值,而凹槽摆动信号被检测为推挽信号。

图1是推挽信号和抖动与凹槽摆动或凹坑的深度的关系曲线的图形。在其上输出推挽信号为最高的凹槽摆动的深度大约为1/8(λ/n)。这里,λ表示从在光学拾取装置中使用的光源发出的光的波长,n表示光学信息介质的折射率。在其上发生抖动的凹坑的最大深度为1/4(λ/n)。在具有凹槽摆动和凹坑两者的光学信息存储介质中,考虑到推挽信号和抖动的特性,凹槽摆动的深度可以与凹坑的深度不同。但是,在凹槽摆动的深度与凹坑的深度不同的情况下,需要形成凹槽摆动和凹坑的分开处理。因此,制造该光学信息存储介质的过程变得复杂。其结果是,难以大量生产该光学信息存储介质。另外,如果凹槽摆动的深度与凹坑的深度相同以简化制造该光学信息存储介质的过程,那么推挽信号和抖动之一或两者的特性恶化,并且记录/再现数据变得效率低下。

发明内容

本发明提供了一种光学信息存储介质,其能够通过简单的过程被制造,产生良好的信号特性,并且与不同类型的光学存储介质一致。

本发明的另外方面和优点将在下面的描述中部分地阐明,并且从描述中部分是清楚的,或者通过本发明的实施可以被理解。

根据本发明的一方面,一种光学信息存储介质包括数据被记录在其中的引入区域、用户数据区域、和引出区域。取决于符合相同物理格式的存储介质而没有被修改的数据被记录在整个引入区域或引入区域的一部分中,并且在整个引入区域或引入区域的一部分中使用的第一数据记录调制方法与在该光学信息存储介质的剩余区域中使用的第二数据记录调制方法不同。

取决于符合相同物理格式的存储介质而没有被修改的数据被记录在其中的整个引入区域或引入区域的一部分可以是光学信息存储介质相关信息记录在其中的区域。

用于在符合相同物理格式的存储介质上没有被修改的数据的第一记录调制方法可以是双相调制方法,并且用于剩余数据的第二记录调制方法可以是RLL调制方法。

RLL调制方法可以是RLL(1,7)调制方法。

在RLL(1,7)调制方法中使用的同步模式(pattern)包括具有9T或更大的长度的凹坑和间隔中的至少一个。

根据双相调制方法被记录的数据包括nT和2nT长度的标记以及nT和2nT长度的间隔,其中,n在2≤n≤4的范围内。

该光学信息存储介质还可以包括用在其中具有9T或更大的长度的凹坑和间隔重复至少一次或更多的模式被记录的识别标记。

在RLL调制方法中使用的同步模式可以包括具有12T或更大的长度的凹坑和间隔中的至少一个。

根据双相调制方法被记录的数据可以包括nT和2nT长度的标记以及nT和2nT长度的间隔。这里,n在3≤n≤5的范围内。

在双相调制方法中使用的同步模式可以包括具有12T或更大的长度的凹坑和间隔中的至少一个。

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