[发明专利]再现存储在光学信息存储介质中的信息的设备无效

专利信息
申请号: 200710109079.1 申请日: 2003-08-27
公开(公告)号: CN101075461A 公开(公告)日: 2007-11-21
发明(设计)人: 沈载晟;李坰根;朴仁植;郑钟三;尹斗燮;马炳寅;朴贤洙 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11B20/10 分类号: G11B20/10;G11B20/12
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 郭鸿禧;韩素云
地址: 韩国京畿道*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 再现 存储 光学 信息 介质 中的 设备
【权利要求书】:

1、一种再现存储在光学信息存储介质中的信息的设备,所述光学信息存储介质具有引入区域和用户数据区域,所述设备包括:

光学拾取器,将光发射到光学信息存储介质上,以读取存储在光学信息存储介质中的信息;

控制单元,控制光学拾取器读取第一数据和第二数据,所述第一数据由第一调制方法调制并记录在光学信息存储介质的引入区域中,所述第二数据由第二调制方法调制并记录在光学信息存储介质的用户数据区域中。

2、根据权利要求1所述的设备,其中,光学信息存储介质的引入区域包括第一区域和第二区域,所述第一区域包含由第一调制方法调制的数据,所述第二区域包含由第二调制方法调制的数据。

3、根据权利要求1所述的设备,其中,由第一调制方法调制的第一数据是介质相关信息。

4、根据权利要求1所述的设备,其中,由第一调制方法调制的第一数据是这样一种信息,具有相同物理格式的介质符合该信息。

5、根据权利要求1所述的设备,其中,第一调制方法是双相调制方法,并且第二调制方法是RLL调制方法。

6、根据权利要求5所述的设备,其中,RLL调制方法是RLL(1,7)调制方法。

7、根据权利要求6所述的设备,其中,光学信息存储介质还包括:

同步模式,其在除整个引入区域或引入区域的一部分之外的使用RLL(1,7)调制方法的该光学信息存储介质的剩余区域中形成,并且包括具有9T或更大的长度的凹坑和间隔中的至少一个。

8、根据权利要求5所述的设备,其中,根据双相调制方法记录的第一数据包括:

nT和2nT长度的标记以及nT和2nT长度的间隔,其中,n在2≤n≤4的范围内。

9、根据权利要求8所述的设备,其中,光学信息存储介质还包括:

同步模式,其在使用双相调制方法的整个引入区域或引入区域的一部分中形成,并且包括具有9T或更大的长度的凹坑和间隔中的至少一个。

10、根据权利要求9所述的设备,其中,光学信息存储介质还包括:

识别标记,用在其中具有9T或更大的长度的凹坑和间隔重复至少一次或更多的模式被记录。

11、根据权利要求5所述的设备,其中,RLL调制方法是RLL(2,10)调制方法。

12、根据权利要求11所述的设备,其中,光学信息存储介质还包括:

同步模式,其在除整个引入区域或引入区域的一部分之外的使用RLL调制方法的该光学信息存储介质的剩余区域中形成,并且包括具有12T或更大的长度的凹坑和间隔中的至少一个。

13、根据权利要求12所述的设备,其中,根据双相调制方法被记录的第一数据包括:

nT和2nT长度的标记以及nT和2nT长度的间隔,其中,n在3≤n≤5的范围内。

14、根据权利要求13所述的设备,其中,光学信息存储介质还包括:

同步模式,其在除使用双相调制方法的整个引入区域或引入区域的一部分之外的该光学信息存储介质的剩余区域中形成,并且包括具有12T或更大的长度的凹坑和间隔中的至少一个。

15、根据权利要求14所述的设备,其中,光学信息存储介质还包括:

识别标记,用在其中具有12T或更大的长度的凹坑和间隔重复至少一次或更多的模式被记录。

16、根据权利要求13所述的设备,其中,光学信息存储介质还包括:

识别标记,用在其中具有12T或更大的长度的凹坑和间隔重复至少一次或更多的模式被记录。

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