[发明专利]固态成像装置、成像方法以及成像系统有效
| 申请号: | 200710108837.8 | 申请日: | 2007-05-31 |
| 公开(公告)号: | CN101083274A | 公开(公告)日: | 2007-12-05 |
| 发明(设计)人: | 中柴康隆 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G06K9/00;G02B5/20 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 成像 装置 方法 以及 系统 | ||
技术领域
本发明涉及一种固态成像装置,以及一种成像方法和使用该方法 的成像系统。
背景技术
作为常规固态成像装置,例如在日本专利特开No.2000-217803中 已经公开了一种装置。该文献中描述的固态成像装置提供有很多两维 设置的光接收单元,并捕获与预定表面接触的手指的指纹图像。除了 日本专利特开No.2000-217803之外,涉及到本发明现有技术的技术文 献还包括日本专利特开No.2004-234040。
本发明人已经意识到如下问题。在日本专利特开No.2000-217803 的固态成像装置中,尽管能成像将被成像物体表面上的要素(例如, 手指的指纹)成像,但是不能将被成像物体内部的要素(例如,手指 的血管)成像。
发明内容
根据本发明的固态成像装置包括:固态成像器件,其具有入射光 的第一面,并将光转换成图像信息;和被设置在固态成像器件第一面 上的滤光器,其中,滤光器仅由第一滤光器构成,以使第一波长带的 光通过其传输;和第二滤光器,以使第二波长带的光通过其传输,所 述第一波长带的光不同于所述第二波长带的光。
该固态成像装置包括第一和第二滤光器,其使得不同波长带的光 选择性地通过其传输。结果,通过较短波长的光获得的图像(第一图 像),即通过第一滤光器传输的光,含有关于要成像的物体表面要素 的基本信息量。同时,通过较长波长的光获得的图像(第二图像), 即通过第二滤光器传输的光,含有关于要成像的物体内部要素的信息 以及关于表面要素的信息。因此,当计算第一图像和第二图像之间的 差值时,就能获得要成像的物体的内部要素的图像。
根据本发明的成像方法包括:从物体接收第一波长带的光以由此 产生第一信息;从该物体接收第二波长带的光,以由此产生第二信息; 以及获得该第一信息和第二信息之间的差值。
该成像方法中,使用本发明的固态成像装置,获得该第一和第二 图像。而且,获得了这些图像之间的差别图像。结果,能获得要成像 的物体内部要素的清晰图像。
根据本发明的成像系统包括:固态成像装置;和差值计算单元, 其计算第一图像和第二图像之间的差值,该第一图像是通过传输经过 第一滤光器并之后进入第一面的第一波长带的光获得的要成像的物体 的图像,第二图像是通过传输通过第二滤光器并之后进入第一面的第 二波长带的光而获得的要成像的物体的图像。
该成像系统被提供有本发明的固态成像装置和差值计算装置。因 此,第一和第二图像能通过该固态成像装置获得,而在这些图像之间 的差值图像能通过该差值计算装置获得。结果,能获得要成像的物体 内部要素的清晰图像。
根据本发明,能实现能够获得要成像的物体内部要素的清晰图像 的固态成像装置、成像方法和成像系统。
附图说明
结合附图、根据以下某些优选实施例的描述,本发明的上述和其 他目的、优点和特征将更加明显,附图中:
图1是示出根据本发明成像系统的一个实施例的框图;
图2是示出根据本发明的固态成像装置的一个实施例的截面图;
图3是示出图2的固态成像装置的平面图;
图4是用于说明根据本发明成像方法的一个实施例的平面图;
图5是用于说明第一和第二图像以及其间的差值图像的图;
图6是示出根据该实施例变化的固态成像装置的平面图;
图7是用于说明使用图6的固态成像装置的成像方法实例的平面 图;以及
图8是示出根据本发明实施例的另一变化的固态成像装置的截面 图。
具体实施方式
在此,现在将参考示意性实施例描述本发明。本领域技术人员将 意识到使用本发明的教导能实现很多替换实施例,并且本发明不限于 出于说明目示出的这些实施例。在说明附图的过程中,将相同的参考 数字用于相同的部件,且省略其重复说明。
图1示出了根据本发明成像系统一个实施例的框图。成像系统1 包括固态成像装置10和差值计算单元20。差值计算单元20是用于计 算第一和第二图像之间的差值图像的差值计算装置。稍后将描述该第 一和第二图像。差值计算单元20例如是计算机终端。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





