[发明专利]半导体装置以及使用该半导体装置的电子设备有效
| 申请号: | 200710108176.9 | 申请日: | 2007-05-30 |
| 公开(公告)号: | CN101082521A | 公开(公告)日: | 2007-12-05 |
| 发明(设计)人: | 広濑笃志;荒尾达也 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | G01J1/44 | 分类号: | G01J1/44;H01L27/144 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李德山 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 以及 使用 电子设备 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体装置,特别涉及具有光电二极管和晶体管的半导体装置。此外,本发明涉及利用该半导体装置的电子设备。
背景技术
一般已知多数个用于感测电磁波的光电转换装置,例如从紫外线到红外线的领域中具有感度的装置被总称为光传感器。光传感器之一的光电二极管可以在400nm以上1100nm以下的波长领域中使用,并且其作为光传感器的用途广泛。
这种光传感器一般在放大电路中将通过光电二极管获得的电流放大而检测。这些放大电路,有的利用差动放大器构成(例如,参照专利文件1)。
专利申请公开Hei 5-215602号
发明内容
当使用如上述所说的光传感器检测光量时,输出值依据外界环境而变动。因此,当用作光传感器时,不能检测出准确的照度。
鉴于上述问题,本发明的目的是提供对外界环境具有更稳定的光检测功能的半导体装置。
本发明的半导体装置包括:感测光的第一光电二极管;被遮光的第二光电二极管;第一电路群,该第一电路群具有被输入有从所述第一光电二极管的一方的端子获得的输出的电压输出电路;第二电路群,该第二电路群将从所述第二光电二极管的一方的端子获得的输出根据需要进行放大或转换,而且调整为以在预定的温度下的电压为标准的电压;校正电路。在校正电路中,通过将从第二电路群获得的以在预定的温度下的电压为标准的电压对从第一电路群获得的电压进行加或减,来进行温度校正。因此,通过将从第一光电二极管获得的输出换算为预定的温度,可以进一步准确地检测照度。
此外,对第一光电二极管的另一方的端子供给基准电位,以便当被照射光时,从一方的端子输出开电压(open voltage)。此外,对第二光电二极管的另一方的端子供给使顺向偏压施加到第二光电二极管的电位。与逆向偏压相比,所述顺向偏压显示出更强的温度依赖性。通过采用这样的结构,可以获得进一步准确且具有照度范围广泛的光检测功能的半导体装置。
本发明之一是一种半导体装置,包括:感测光的第一光电二极管;被遮光的第二光电二极管;第一电路群,该第一电路群具有被输入有从上述第一光电二极管的一方的端子获得的输出的电压输出电路;第二电路群,该第二电路群具有将从上述第二光电二极管的一方的端子获得的输出调整为以在预定的温度下的电压为标准的电压的电压调整电路;校正电路,该校正电路被输入有上述第一电路群和上述第二电路群的输出,并且对每个该输出进行加或减,其中,对上述第一光电二极管的另一方端子供给基准电位,并且,对上述第二光电二极管的另一方端子供给使顺方向的偏压施加到上述第二光电二极管的电位。
在上述结构中,上述第一光电二极管以及上述第二光电二极管各有n型半导体层和p型半导体层,其中上述第一光电二极管的一方的端子以及上述第二光电二极管的另一方的端子电连接到p型半导体层,并且上述第一光电二极管的另一方的端子以及上述第二光电二极管的一方的端子电连接到n型半导体层。进一步,在上述结构中,上述第二电路群也可以具有放大或转换从上述第二光电二极管的一方的端子获得的输出的功能。
本发明之一是一种半导体装置,包括:感测光的第一光电二极管;被遮光的第二光电二极管;第一电路群,该第一电路群具有被输入有从上述第一光电二极管的一方的端子获得的输出的电压输出电路;第二电路群,该第二电路群具有将从上述第二光电二极管的一方的端子获得的输出调整为以在预定的温度下的电压为标准的电压的电压调整电路;校正电路,该校正电路被输入有上述第一电路群和上述第二电路群的输出,并且对每个该输出进行加或减,其中,对上述第一光电二极管的另一方端子供给基准电位,并且对上述第二光电二极管的另一方端子供给使顺方向的偏压施加到上述第二光电二极管的电位,并且上述第一光电二极管的一方的端子当被照射光时,与另一方的端子相比其电位高。此外,上述第二电路群也可以具有放大或转换从上述第二光电二极管的一方的端子获得的输出的功能。
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