[发明专利]半导体装置以及使用该半导体装置的电子设备有效
| 申请号: | 200710108176.9 | 申请日: | 2007-05-30 |
| 公开(公告)号: | CN101082521A | 公开(公告)日: | 2007-12-05 |
| 发明(设计)人: | 広濑笃志;荒尾达也 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | G01J1/44 | 分类号: | G01J1/44;H01L27/144 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李德山 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 以及 使用 电子设备 | ||
1.一种半导体装置,包括:
感测光的第一光电二极管;
第二光电二极管;
将所述第二光电二极管遮光的遮光膜;
第一电路群,该第一电路群具有被输入有从所述第一光电二极管的一方的端子获得的输出的电压输出电路;
第二电路群,该第二电路群具有将从所述第二光电二极管的一方的端子获得的第一电压调整为以在预定的温度下的电压为标准的第二电压的电压调整电路;以及
校正电路,该校正电路被输入有所述第一电路群和所述第二电路群的输出,并且对每个该输出进行加或减,
其中,对所述第一光电二极管的另一方的端子供给基准电位,
并且,对所述第二光电二极管的另一方的端子供给使顺向偏压施加到所述第二光电二极管的电位。
2.根据权利要求1的半导体装置,
其中,所述第一光电二极管以及所述第二光电二极管都具有n型半导体层和p型半导体层,
其中,所述第一光电二极管的一方的端子以及所述第二光电二极管的另一方的端子电连接到p型半导体层,
并且,所述第一光电二极管的另一方的端子以及所述第二光电二极管的一方的端子电连接到n型半导体层。
3.根据权利要求1的半导体装置,
其中,当被照射光时,所述第一光电二极管的一方的端子的电位比另一方的端子的电位高。
4.根据权利要求1的半导体装置,
其中,所述第二电路群具有放大或转换从所述第二光电二极管的一方的端子获得的输出的功能。
5.根据权利要求1的半导体装置,
其中,所述第一电路群以及所述第二电路群都具有运算放大器。
6.根据权利要求1的半导体装置,
其中,所述第一电路群以及所述第二电路群都具有多个薄膜晶体管。
7.一种具有根据权利要求1的半导体装置的电子设备。
8.一种半导体装置,包括:
感测光的第一光电二极管;
第二光电二极管;
将所述第二光电二极管遮光的遮光膜;
第一电路群,该第一电路群具有被输入有所述第一光电二极管的一方的端子的输出的电压输出电路;
第二电路群,该第二电路群被输入有从所述第二光电二极管的一方的端子获得的输出,且具有反相放大电路、反相电路、将来自所述第一电路群的第一电压调整为以在预定的温度下的电压为标准的第二电压的电压调整电路;以及
校正电路,该校正电路被输入有所述第一电路群和所述第二电路群的输出,并且对每个该输出进行加或减,
其中,对所述第一光电二极管的另一方的端子供给基准电位,
并且,对所述第二光电二极管的另一方的端子供给使顺向偏压施加到所述第二光电二极管的电位,
并且,当被照射光时,所述第一光电二极管的一方的端子的电位比另一方的端子的电位高。
9.根据权利要求8的半导体装置,
其中,所述第一光电二极管以及所述第二光电二极管都具有p型半导体层、n型半导体层、在所述p型半导体层和所述n型半导体层之间设置的i型半导体层。
10.根据权利要求8的半导体装置,
其中,所述第一电路群以及所述第二电路群都具有运算放大器。
11.根据权利要求8的半导体装置,
其中,所述第一电路群以及所述第二电路群都具有多个薄膜晶体管。
12.一种具有根据权利要求8的所述半导体装置的电子设备。
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