[发明专利]具有表面带的存储器与其形成方法无效
| 申请号： | 200710107498.1 | 申请日： | 2007-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101308850A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 张文岳 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L23/522;H01L21/8242;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 表面 存储器 与其 形成 方法 | ||
1.一种具有表面带的存储器，其特征在于，该存储器包括：
一沟渠电容，位于一半导体基板中；
一自我对准的表面带，覆盖于所述的沟渠电容及其开口周围的主动区上；以及
一金属氧化半导体晶体管，其源/漏极之一与所述的表面带相接，而另一则连接至一位线。
2.如权利要求1所述的具有表面带的存储器，其特征在于，所述的表面带部分延伸至所述的沟渠电容内，且其深度大致为所述的源/漏极的深度。
3.如权利要求1所述的具有表面带的存储器，其特征在于，所述的沟渠电容包括一由所述的半导体基板的一沟渠内壁形成的下极板、一附着于所述的半导体基板的所述的沟渠内壁的介电层以及一填充于所述的半导体基板的所述的沟渠内的上极板。
4.如权利要求3所述的具有表面带的存储器，其中，所述的下极板为一N型的扩散区，而所述的上极板为一掺杂过的多晶硅。
5.如权利要求4所述的具有表面带的存储器，其特征在于，所述的沟渠电容还包括一氧化物颈圈包围所述的上极板，且其下缘与所述的下极板的边缘切齐。
6.一种形成具有表面带的存储器的方法，其特征在于，该方法包括：
形成一图案化的护罩层于一半导体基板上；
利用所述的图案化的护罩层于所述的半导体基板中形成一沟渠电容；
形成一自我对准的表面带，覆盖于所述的沟渠电容及其周围的主动区上；以及
于所述的半导体基板上形成一金属氧化半导体晶体管，其源/漏极之一与所述的表面带相接，而另一则连接至一位线。
7.如权利要求6所述的形成具有表面带的存储器的方法，其特征在于，该方法还包括对所述的图案化的护罩层进行蚀刻使所述的沟渠电容开口周围的主动区露出，沉积一表面带硅膜并对此表面带硅膜进行回蚀至一特定高度。
8.如权利要求7所述的形成具有表面带的存储器的方法，其特征在于，形成所述的金属氧化半导体晶体管包括利用热扩散使表面带层的掺杂物扩散至所述的半导体基板上以形成所述的源/漏极之一。
9.如权利要求7所述的形成具有表面带的存储器的方法，其特征在于，形成所述的金属氧化半导体晶体管包括以离子注入形成所述的源/漏极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
