[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710107360.1 | 申请日： | 2007-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101154601A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 闲野义则 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/58;H01L21/60;H01L23/28;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 雒运朴;徐谦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
第1工序，准备在芯片安装区域的周围形成了外部端子的安装基板；
第2工序，准备具有多个端边的半导体芯片；
第3工序，把上述半导体芯片安装在上述安装基板上；
第4工序，向上述半导体芯片的上述端边中从该端边到和该端边相对的上述外部端子的距离最短的端边、与上述安装基板的第1间隙的至少一部分，填充第1密封树脂；
第5工序，使上述第1密封树脂固化而密封上述第1间隙；
第6工序，向除了填充了上述第1密封树脂的上述第1间隙或由上述第1密封树脂密封了的上述第1间隙以外的、上述半导体芯片与上述安装基板的第2间隙，填充第2密封树脂；以及
第7工序，使上述第2密封树脂固化而密封上述第2间隙。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，上述第1密封树脂的粘度比第2密封树脂的粘度高。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
在上述第4工序中，以设置至少1个以上的未填充区域的方式向上述第1间隙填充第1密封树脂。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在上述第4工序中，在开始了对上述安装基板的加热后，向上述第1间隙填充上述第1密封树脂，并同时进行上述第5工序的上述第1密封树脂的固化。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，同时进行上述第5工序的上述第1密封树脂的固化、和上述第7工序的上述第2密封树脂的固化。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在上述第3工序中，上述半导体芯片为一个，以使上述半导体芯片的中心与上述安装基板的中心错开的方式，把上述半导体芯片安装在上述安装基板上。
7.一种半导体器件，其特征在于，具有：
安装基板，具有芯片安装区域、包围该芯片安装区域的外周区域、形成在该外周区域上的外部端子、以及形成于该芯片安装区域和该外周区域并与外部端子连接的布线；
半导体芯片，具有多个端边，与上述布线连接，并且安装在上述安装基板上；
第1密封树脂，对上述半导体芯片的上述端边中从该端边到和该端边相对的上述外部端子的距离最短的端边、与上述安装基板的第1间隙的至少一部分进行密封；以及
第2密封树脂，对除了由上述第1密封树脂密封的上述第1间隙以外的、上述半导体芯片与上述安装基板的第2间隙进行密封。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，上述半导体芯片为一个，上述半导体芯片以使上述半导体芯片的中心与上述安装基板的中心错开的方式安装在上述安装基板上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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