[发明专利]马达驱动电路有效

专利信息
申请号: 200710107065.6 申请日: 2007-05-18
公开(公告)号: CN101309061A 公开(公告)日: 2008-11-19
发明(设计)人: 郭荣彦 申请(专利权)人: 普诚科技股份有限公司
主分类号: H02P8/06 分类号: H02P8/06;H02P8/14
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人: 刘新宇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 马达 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种马达驱动电路,其特征在于,该马达驱动电路包括:

一第一输入电压源组,用以提供一第一输入电压组;

一第二输入电压源组,用以提供一第二输入电压组;

一参考电压源,用以提供一参考电压;

一第一电压电平移位单元,用以将该第一输入电压组部分的电平提升至该参考电压的电平,其中该第一电压电平移位单元包括一第一P型金属氧化物半导体场效晶体管、一第一N型金属氧化物半导体场效晶体管、一第二P型金属氧化物半导体场效晶体管以及一第二N型金属氧化物半导体场效晶体管,其中该第一P型金属氧化物半导体场效晶体管的源极耦接至该参考电压源,该第一P型金属氧化物半导体场效晶体管的栅极耦接至该第二P型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极,其中该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管的栅极耦接至该第一输入电压源组,该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管的源极耦接至一接地端,该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极耦接该第一P型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极,该第二P型金属氧化物半导体场效晶体管的栅极耦接至该第一P型金属氧化物半导体的漏极,该第二P型金属氧化物半导体场效晶体管的源极耦接至该参考电压源,该第二N型金属氧化物半导体场效晶体管的栅极耦接至该第一输入电压源组,该第二N型金属氧化物半导体场效晶体管的源极耦接至该接地端,该第二N型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极耦接至该第二P型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极;

一第二电压电平移位单元,用以将该第二输入电压组部分的电平提升至该参考电压的电平,其中该第二电压电平移位单元包括一第三P型金属氧化物半导体场效晶体管、一第三N型金属氧化物半导体场效晶体管、一第四P型金属氧化物半导体场 效晶体管以及一第四N型金属氧化物半导体场效晶体管,其中该第三P型金属氧化物半导体场效晶体管的源极耦接至该参考电压源,该第三P型金属氧化物半导体场效晶体管的栅极耦接至该第四P型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极,其中该第三N型金属氧化物半导体场效晶体管的栅极耦接至该第二输入电压源组,该第三N型金属氧化物半导体场效晶体管的源极耦接至该接地端,该第三N型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极耦接该第三P型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极,该第四P型金属氧化物半导体场效晶体管的栅极耦接至该第三P型金属氧化物半导体的漏极,该第四P型金属氧化物半导体场效晶体管的源极耦接至该参考电压源,该第四N型金属氧化物半导体场效晶体管的栅极耦接至该第二输入电压源组,该第四N型金属氧化物半导体场效晶体管的源极耦接至该接地端,该第四N型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极耦接至该第四P型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极;

一运算单元,耦接该第一P型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极、第二P型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极以及第四P型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极,并运算后输出一控制电压;及

一输出电压端,用以接收该控制电压并输出一输出电压。

2.根据权利要求1所述的马达驱动电路,其特征在于,更包括一稳压单元,用以防止该马达驱动电路发生漏电,该稳压单元包括多个电阻,耦接于该参考电压源与该第一电压电平移位单元及第二电压电平移位单元之间。

3.根据权利要求1所述的马达驱动电路,其特征在于,该第一输入电压组包括一第一输入电压源及一第二输入电压源,分别用以输入一第一输入电压及一第二输入电压,该第二输入 电压组包括第三输入电压源及第四输入电压源,分别用以输入一第三输入电压及一第四输入电压,其中该第一输入电压的电平及该第二输入电压的电平互为反相,该第三输入电压的电平及该第四输入电压的电平互为反相。

4.根据权利要求3所述的马达驱动电路,其特征在于,该第一输入电压的电平、该第二输入电压的电平、该第三输入电压的电平及该第四输入电压的电平为0V或5V,当该第一输入电压的电平为5V时,该第二输入电压的电平为0V,反之当该第一输入电压的电平为0V时,该第二输入电压的电平为5V;当该第三输入电压电平为5V时,该第四输入电压的电平为0V,当该第三输入电压电平为0V时,该第四输入电压的电平为5V。

5.根据权利要求1所述的马达驱动电路,其特征在于,该运算单元包括一或非逻辑门、一与非逻辑门和多个反相器。 

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