[发明专利]透射反射式二极管基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710107027.0 申请日: 2007-05-17
公开(公告)号: CN101075033A 公开(公告)日: 2007-11-21
发明(设计)人: 申亨范;金泓植 申请(专利权)人: LG.菲利浦LCD株式会社
主分类号: G02F1/133 分类号: G02F1/133;H01L27/02;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 徐金国;祁建国
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 透射 反射 二极管 及其 制造 方法
【说明书】:

本申请要求2006年5月17日在韩国递交的专利号为10-2006-044285的专利申请的权益,在此引用其全部内容作为参考。

技术领域

本发明涉及液晶显示(以下称之为“LCD”)器件及其制造方法。更具体地,本发明涉及LCD器件的透射反射式二极管基板及其制造方法,其中该透射反射式二极管基板具有用作LCD器件的开关元件的二极管阵列。

背景技术

通常,液晶显示器件通过控制液晶材料的透光率而显示图像。根据显示图像的光系统的种类,LCD通常可以分为两类。一类为通过采用来自设置在LCD面板背部的背光单元的光显示图像的透射型。另一类为通过反射诸如太阳光或者室内灯的环境光显示图形的反射型。和反射型相比,透射型具有更大的能耗。由于反射型依赖于环境光,因此其在昏暗环境下无法显示图像。

为了通过补偿二者的缺点解决上述问题,已经研究出一种复合型的透射反射(透射+反射)型LCD,对于用户而言采用背光单元的透射模式和采用环境光的反射模式是可选的。由于透射反射式LCD在环境光充足时以反射模式工作或者在环境光不足时以透射模式工作,因此该LCD具有较低能耗并且不受环境光亮度的限制。

通常,透射反射LC面板包括彼此结合并且其间具有液晶层的滤色片基板和薄膜晶体管(也称之为“TFT”)基板以及设置在TFT基板背部的背光单元。该透射反射式LCD面板的每个像素包括具有反射电极和像素电极的反射区,以及仅具有像素电极的透射区。

由于通过半导体制造工艺和多次掩模处理制造该透射反射式LCD,因此该制造工艺非常复杂,并且该复杂的制造工艺导致制造成本增加。

发明内容

本发明的目的在于提出具有用作开关元件的二极管的透射反射式二极管LCD器件的简化结构。此外,本发明的目的还在于提出一种具有用作开关元件的二极管的透射反射式二极管LCD器件的制造方法,在该方法中,该制造工艺得到简化。

为了实现上述目的,液晶显示器件的透射反射式二极管基板包括反射区域,该反射区域包含二极管、围绕二极管的有机图案,以及位于有机图案上方的反射电极,其中所述二极管具有扫描电极、位于该扫描电极上的绝缘图案和像素电极;以及与该反射区域相邻的透射区域;其中在反射区域和透射区域中形成像素电极,其中仅三道掩膜用来形成扫描电极、绝缘图案、像素电极、有机图案和保护图案只需要三道掩模。

此外,透射反射式二极管基板的二极管包括形成在第一扫描电极和像素电极之间的第一二极管;形成在第二扫描电极和像素电极之间的第二二极管;与第一扫描电极连接的第一扫描线;以及与第二扫描电极连接的第二扫描线。

此外,透射反射式二极管基板包括与扫描线连接的扫描焊盘;其中该扫描焊盘包括与扫描线连接的扫描焊盘下电极,和与扫描焊盘下电极连接并且位于其正上方的扫描焊盘上电极;并且其中有机图案设置在扫描焊盘下电极和扫描焊盘上电极之间,扫描焊盘下电极和扫描焊盘上电极通过贯穿有机图案并暴露扫描焊盘下电极的接触孔连接。

而且,透射反射式二极管基板包括具有与位于像素电极和反射电极之间的反射电极相同图案的保护图案。

一种用于制造液晶显示器件的透射反射式二极管基板的方法包括如下步骤,采用第一掩模在一个基板上形成扫描线、与该扫描线连接的扫描电极以及位于扫描线和扫描电极上的绝缘图案;采用第二掩模形成有机图案以及通过贯穿有机图案暴露绝缘图案的有机孔;采用第三掩模形成覆盖有机孔的像素电极、二极管以及反射电极,其中二极管包括扫描电极、绝缘图案以及像素电极,所述反射电极与有机图案重叠并且其间具有像素电极。

附图说明

参照附图通过对于本发明的实施方式的如下详细描述将使得本发明的所述和其他目的显而易见。在附图中:

图1简要示出根据本发明所述的透射反射式液晶显示面板的结构;

图2为图1所示的透射反射式LCD面板的二极管基板的平面图;

图3所示为沿图2中的透射反射式二极管基板的I-I’和II-II’线截取的截面图;

图4A和4B分别为用于描述根据本发明的透射反射式二极管基板的制造方法的第一掩模工艺的平面图和截面图;

图5A到5D为用于详细描述第一掩模工艺的截面图;

图6A和6B为分别为用于描述根据本发明的透射反射式二极管基板的制造方法的第二掩模工艺的平面图和截面图;

图7A和7B为用于详细描述第二掩模工艺的截面图;

图8A和8B为分别为用于描述根据本发明的透射反射式二极管基板的制造方法的第三掩模工艺的平面图和截面图;以及

图9A到9D为用于详细描述第三掩模工艺的截面图。

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