[发明专利]半导体制程的装置与方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体制造程序，特别是涉及一种具有动态夹盘以及线圈结构的一种等离子制程室，用以减缓制程室的局部效应以及于制程进行间提升整个晶圆的蚀刻均匀性。

背景技术

集成电路的制造程序包含了在半导体晶圆上形成多种组成元件，例如晶体管、电容及电阻等，而等离子蚀刻程序则是在半导体制程中，被用来从晶圆表面上将材料移除的主要方法。一般来说，等离子会在制程室当中被激发出来，以藉由强烈的电场产生出朝向晶圆表面加速且被高度激励的离子。这些离子会利用轰击蚀刻的动作来物理性地及化学性地移除晶圆表面上未受到保护的材料，其中会将如射频功率、射频偏压、温度、压力以及流动速率等种种作业参数最佳化以得到理想的蚀刻结果。

藉由测量蚀刻程序是否具有能够平均蚀刻整个晶圆表面的性能可以得知该蚀刻程序的蚀刻均匀性，维持整个晶圆表面上的均匀度对于达到一定的制程效率来说是相当重要的工作，然而制程室的局部效应，如制程室的几何形状和尺寸以及线圈的设计和配置，有可能导致非均匀性现象的产生，因为制程室中的等离子密度及在制程室中所产生的电场有可能非均匀性地遍布在整个晶圆表面上。所以在此所需要的是一种简单、划算，并且能够用来补偿因为制程室的局部效应所产生的非均匀性现象的装置及方法。

发明内容

本发明主要的目的是在等离子蚀刻程序进行的过程中，利用移动制程室当中的晶圆或线圈来降低制程室中的局部效应，进而提升晶圆整体的均匀度。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种半导体制程的装置，包含：一制程室，具有一等离子容纳区；一介电板被固定于该制程室的顶部；一电源，其中该介电板分隔开该电源及该等离子容纳区；以及一夹盘，被支撑于该制程室之中，并且被设定来可操作性地相对于该电源移动。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的装置，其中所述的夹盘被初始设置于与一x轴及一y轴平行，并与一z轴垂直的一平面上，并且该夹盘被设定为可操作性地沿着该z轴移动、以该x轴为轴倾斜、以该y轴为轴倾斜或进行前述动作的任何组合。

前述的装置，其更包含多数个微致动器，其中该些微致动器被设定为可操作性地带动该夹盘。

前述的装置，其更包含多数个伸缩囊，其中该些伸缩囊被设定为可操作性地带动该夹盘。

前述的装置，其中所述的夹盘被初始设置于与一x轴及一y轴平行，并与一z轴垂直的一平面上，并且该夹盘被设定为可操作性地沿着该x轴移动、沿着该y轴移动或进行前述动作的任何组合。

前述的装置，其更包含：一弹簧，附加于该夹盘；以及一马达，具有一连杆连接至该弹簧，其中该马达能够透过该连杆压缩该弹簧，用以沿着一线性方向移动该夹盘。

前述的装置，其中所述的电源包含为一射频电源所激能的一平面螺旋线圈。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的半导体制程的装置，包含：一制程室，具有一等离子容纳区；一介电板被固定于该制程室的顶部；一夹盘，被支撑于该制程室之中并且被设置于该等离子容纳区之下；以及一线圈，被设定为能够可操作性地相对于该夹盘移动，其中该介电板分隔开该线圈及该等离子容纳区。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的装置，其中所述的线圈包含为一射频电源所激能的一平面螺旋线圈。

前述的装置，其中所述的平面螺旋线圈被初始设置于与一x轴及一y轴平行，并与一z轴垂直的一平面上，并且该平面螺旋线圈被设定为可操作性地沿着该z轴移动、以该x轴为轴倾斜、以该y轴为轴倾斜或进行前述动作的任何组合。

前述的装置，其更包含多数个微致动器，其中该些微致动器被设定为可操作性地带动该线圈。

前述的装置，其中该些微致动器的种类是从由下列元素所组成的组合中选出：静电式、磁力式、液压式、形状记忆合金式、压电式以及热能式。

本发明的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种半导体制程的方法，包含：固定一半导体晶圆于一制程室中的一夹盘上；激能一线圈，用以于该制程室中产生一等离子；执行该半导体晶圆的一等离子程序；测量该半导体晶圆整个于该等离子程序执行中的一均匀度；以及相对于该线圈调整该夹盘的一位置，其中是以所测量出的该均匀度为基准调整之。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。