[发明专利]具高效率发光效果的发光二极管封装方法及其封装结构有效
申请号: | 200710106136.0 | 申请日: | 2007-05-24 |
公开(公告)号: | CN101312133A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | 汪秉龙;庄峰辉;吴文逵 | 申请(专利权)人: | 宏齐科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/00;H01L25/075;H01L23/488;H01L23/28 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高效率 发光 效果 发光二极管 封装 方法 及其 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光二极管芯片的封装方法及其封装结构,尤指一种具高效率发光效果的发光二极管封装方法及其封装结构。
背景技术
请参阅图1所示,其为习知发光二极管之第一种封装方法的流程图。由流程图中可知,习知发光二极管的第一种封装方法,其步骤包括:首先,提供多个封装完成的发光二极管(packaged LED)(S800);接着,提供一条状基板本体(stripped substrate body),其上具有一正极导电轨迹(positive electrodetrace)与一负极导电轨迹(negative electrode trace)(S802);最后,依序将每一个封装完成的发光二极管(packaged LED)设置在该条状基板本体上,并将每一个封装完成的发光二极管(packaged LED)的正、负极端分别电性连接于该条状基板本体的正、负极导电轨迹(S804)。
请参阅图2所示,其为习知发光二极管之第二种封装方法的流程图。由流程图中可知,习知发光二极管的第二种封装方法,其步骤包括:首先,提供一条状基板本体(stripped substrate body),其上具有一正极导电轨迹(positiveelectrode trace)与一负极导电轨迹(negative electrode trace)(S900);接着,依序将多个发光二极管芯片(LED chip)设置于该条状基板本体上,并且将每一个发光二极管芯片的正、负极端分别电性连接于该条状基板本体的正、负极导电轨迹(S902);最后,将一条状封装胶体(stripped package colloid)覆盖于该条状基板本体及该等发光二极管芯片上,以形成一带有条状发光区域(stripped light-emitting area)的光棒(light bar)(S904)。
然而,关于上述习知发光二极管的第一种封装方法,由于每一颗封装完成的发光二极管(packaged LED)必须先从一整块发光二极管封装切割下来,然后再以表面黏着技术(SMT)工序,将每一颗封装完成的发光二极管(packagedLED)设置于该条状基板本体上,因此无法有效缩短其工序时间,再者,发光时,该等封装完成的发光二极管(packaged LED)之间会有暗带(dark band)现象存在,对于使用者视线仍然产生不佳的效果。
另外,关于上述习知发光二极管的第二种封装方法,由于所完成的光棒带有条状发光区域,因此第二种封装方法将不会产生暗带(dark band)的问题。然而,因为该条状封装胶体(stripped package colloid)被激发的区域不均,因而造成光棒的光效率不佳(亦即,靠近发光二极管芯片的封装胶体区域会产生较强的激发光源,而远离发光二极管芯片的封装胶体区域则产生较弱的激发光源)。
由上可知,目前习知的发光二极管的封装方法及其封装结构,显然具有不便与缺失存在,而待加以改善。
因此,本发明人有感上述缺失之可改善,且依据多年来从事此方面的相关经验,悉心观察且研究,并配合学理的运用,而提出一种设计合理且有效改善上述缺失的本发明。
发明内容
本发明所要解决的技术问题,在于提供一种具高效率发光效果的发光二极管封装方法及其封装结构。本发明的发光二极管结构在发光时,形成一连续的发光区域,而无亮度不均的情况发生,并且本发明采用透过芯片直接封装(ChipOn Board,COB)工序并利用压模(die mold)的方式,以使得本发明可有效地缩短其工序时间,而能进行大量生产。再者,本发明的结构设计更适用于各种光源,诸如背光模块、装饰灯条、照明用灯、或是扫描仪光源等应用,皆为本发明所应用的范围与产品。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造