[发明专利]具高效率发光效果的发光二极管封装方法及其封装结构有效
申请号: | 200710106136.0 | 申请日: | 2007-05-24 |
公开(公告)号: | CN101312133A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | 汪秉龙;庄峰辉;吴文逵 | 申请(专利权)人: | 宏齐科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/00;H01L25/075;H01L23/488;H01L23/28 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高效率 发光 效果 发光二极管 封装 方法 及其 结构 | ||
1、一种具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其特征在于,包括下列步骤:
提供一基板单元,其具有一基板本体、及分别形成于该基板本体上的一正极导电轨迹与一负极导电轨迹;
通过矩阵的方式,分别设置多个发光二极管芯片于该基板本体上,以形成多排纵向发光二极管芯片排,其中每一个发光二极管芯片具有分别电性连接于该基板单元的正、负极导电轨迹的一正极端与一负极端;以及
通过一第一模具单元,将多条条状封装胶体纵向地分别覆盖在每一排纵向发光二极管芯片排上;以及
沿着每两个纵向发光二极管芯片之间,横向地切割所述条状封装胶体,
所述纵向与所述正极导电轨迹与所述负极导电轨迹的排列方向垂直。
2、根据权利要求1所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其特征在于,该基板单元为一印刷电路板。
3、根据权利要求2所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其特征在于,该印刷电路板为一软基板、一铝基板、一陶瓷基板、或一铜基板。
4、根据权利要求1所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其特征在于,该正、负极导电轨迹为铝线路或银线路。
5、根据权利要求1所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其特征在于,每一个发光二极管芯片的正、负极端是通过两相对应的导线并以打线的方式,以与该基板单元的正、负极导电轨迹产生电性连接。
6、根据权利要求1所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其特征在于,每一个发光二极管芯片的正、负极端是通过多个相对应的锡球并以倒装芯片的方式,以与该基板单元的正、负极导电轨迹产生电性连接。
7、根据权利要求1所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其特征在于,每一排纵向发光二极管芯片排是以一直线的排列方式设置于该基板单元的基板本体上。
8、根据权利要求1所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其特征在于,该第一模具单元是由一第一上模具及一用于承载该基板本体的第一下模具所组成,并且该第一上模具是具有多条相对应该纵向发光二极管芯片排的第一沟槽,此外该第一沟槽的高度及宽度是与该条状封装胶体的高度及宽度相同。
9、根据权利要求1所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其特征在于,每一条条状封装胶体为由硅胶与荧光粉所混合形成的荧光胶体。
10、根据权利要求1所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其特征在于,每一条条状封装胶体为由环氧树脂与荧光粉所混合形成的荧光胶体。
11、根据权利要求1所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其特征在于,更进一步包括:沿着每两个纵向发光二极管芯片之间,横向地切割该条状封装胶体及该基板本体,以形成多条光棒,其中每一条光棒具有多个彼此分开地覆盖于每一个发光二极管芯片上的封装胶体,所述横向与所述正极导电轨迹与所述负极导电轨迹的排列方向平行。
12、根据权利要求1所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其特征在于,更进一步包括:
沿着每两个纵向发光二极管芯片之间,横向地切割该条状封装胶体,以形成多个彼此分开地覆盖于每一个发光二极管芯片上的封装胶体;
通过一第二模具单元,将一框架单元覆盖于该基板本体上并且填充于该封装胶体之间;以及
沿着每两个纵向发光二极管芯片之间,横向地切割该框架单元及该基板本体,以形成多条光棒,并且使得该框架单元被切割成多个分别包覆每一条光棒上的所有封装胶体的四周的框架层。
13、根据权利要求12所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其特征在于,该第二模具单元是由一第二上模具及一用于承载该基板本体的第二下模具所组成,并且该第二上模具具有一条相对应该框架单元的第二沟槽,此外该第二沟槽的高度与该封装胶体的高度相同,而该第二沟槽的宽度与该框架层的宽度相同。
14、根据权利要求12所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其特征在于,该框架层为不透光框架层。
15、根据权利要求14所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其特征在于,该不透光框架层为白色框架层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造