[发明专利]半导体集成电路及其制造方法以及掩模

权利要求书

1.一种半导体集成电路，包括：

第一导体，提供于衬底上的第一区域中；和

第二导体，提供于所述衬底上围绕所述第一区域的第二区域中，

其中所述第一导体的线宽的最小设计尺寸小于所述第二导体的线宽的最小设计尺寸。

2.如权利要求1的半导体集成电路，

其中所述第一区域与所述第二区域相间隔，且在所述第一区域和所述第二区域之间的区域中不包括导体图形。

3.如权利要求1的半导体集成电路，

其中所述第二区域是用于该半导体集成电路的输入和输出电路的区域。

4.如权利要求1的半导体集成电路，

其中所述第一导体的线宽的最小设计尺寸等于或小于0.1μm。

5.如权利要求1的半导体集成电路，

其中所述第一区域具有足够小以适合于边长为20mm的正方形区域中的尺寸。

6.如权利要求1的半导体集成电路，

其中所述第一和所述第二导体中的每一个是互联、栅电极、硅化物层或扩散层。

7.一种用于制造如权利要求1中的半导体集成电路的掩模，包括：

第一掩模图形，形成于该掩模的第一部分中，对应于所述第一导体的导体图形，并被通过利用第一波长的光的光刻转移到所述衬底上的所述第一区域；和

第二掩模图形，形成于该掩模的围绕所述第一部分的第二部分中，对应于所述第二导体的导体图形，并被通过利用第二波长的光的光刻转移到所述衬底上的所述第二区域，该第二波长长于所述第一波长。

8.如权利要求7的掩模，

其中所述第一波长的所述光和所述第二波长的所述光是准分子激光束。

9.一种采用如权利要求7的掩模制造半导体集成电路的方法，包括：

通过利用所述第一波长的所述光的光刻，将所述第一掩模图形转移到所述衬底上的所述第一区域上；和

通过利用所述第二波长的所述光的光刻，将所述第二掩模图形转移到所述衬底上的所述第二区域上。