[发明专利]有机电激发光显示装置、光电装置及其形成方法无效
申请号: | 200710103216.0 | 申请日: | 2007-05-10 |
公开(公告)号: | CN101051649A | 公开(公告)日: | 2007-10-10 |
发明(设计)人: | 赵清烟;萧夏彩;李君浩;魏茂国;林晃岩 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H05B33/12 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 机电 激发 显示装置 光电 装置 及其 形成 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机电激发光显示装置,特别是涉及一种具有微透镜的有机电激发光显示装置。
背景技术
近年来,随着电子产品发展技术的进步及其日益广泛的应用,例如移动电话、PDA及笔记本电脑的问世,使得与传统显示器相比具有较小体积及电力消耗特性的平面显示器的需求与日俱增,成为目前最重要的电子应用产品之一。在平面显示器当中,由于有机电激发光件(organic electro-luminescencedevices)具有自发光、高亮度、广视角、高响应速度及制造工艺容易等特性,使得有机电激发光件无疑将成为下一代平面显示器的最佳选择。
一般而言,有机电激发光件因界面全反射所造成的波导(waveguide)现象,使得约有80%的光量被局限(trap)在元件与基板之间,导致元件的外部效率(external quantum efficiency)仅为内部效率(internal quantum efficiency)的20%左右。
为了解决这一问题,美国专利US2003-0020399公开了一种有机电激发光件10,如图1所示,其在元件基板20的内侧设置有机电激发光二极管30,并在外侧制作出多个微透镜(microlens)40,以将原先被全反射的光线导出,如此便可提高元件的外部效率。然而,此方法应用在显示器上会有图像模糊(image blur)的问题产生,如图2所示。而该图像模糊现象发生的原因请参照图3a,当观察者50接受微透镜40导出来自于子像素32所发出的光时,由于视觉直视效果,会将该子像素32误认为存在于其直视的位置33。因此,该微透镜40再导出某一子像素32所产生的光以提高出光量的同时,会使得观察者在视觉上会将在不同像素60内不同光色的子像素32与子像素34重叠,因此造成显示器图像较模糊且不够清晰锐利,请参照图3b。
有鉴于此,研制出具有提高元件外部发光效率的结构、并同时可使图像模糊的影响减低至最小的有机电激发光件,是目前有机发光显示器技术的一项重要课题。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的是提供一种有机发光显示装置,其具有子像素集中化的像素结构设计,其目的为解决有机发光显示装置在使用微透镜来提高外部效率时所衍生出的图像模糊问题,以使有机发光显示装置的图像更清晰。
为实现上述目的,本发明所述的有机电激发光显示装置,包括:基板,其具有第一表面及第二表面;多个微透镜,形成于该基板第一表面;以及多个像素结构,形成于该基板第二表面,每一像素结构具有多个子像素,且任两个相邻像素结构的子像素间的最近距离实质上大于同一像素结构内子像素间的最近距离。
如上所述的有机电激发光显示装置,其中任两个相邻像素结构的子像素间的最近距离实质上大于或等于50微米(μm)。
如上所述的有机电激发光显示装置,其中任两个相邻像素结构的子像素间的最近距离实质上大于或等于100微米(μm)。
如上所述的有机电激发光显示装置,其中任两个相邻像素结构的子像素间的最近距离与该同一像素结构内的子像素间的最近距离的比值实质上大于或等于1.5。
如上所述的有机电激发光显示装置,其中任两个相邻像素结构的子像素间的最近距离与该同一像素结构内的子像素间的最近距离的比值实质上大于或等于2。
如上所述的有机电激发光显示装置,其中每一像素结构包括至少三个子像素。
如上所述的有机电激发光显示装置,其中每一像素结构包括至少四个子像素。
如上所述的有机电激发光显示装置,其中该微透镜具有弧面。
如上所述的有机电激发光显示装置,其中该微透镜的平面轮廓实质上为圆形或实质上为多边形。
本发明还提供一种光电装置,包括:如上所述的有机电激发光显示装置;以及电子元件与该有机电激发光显示装置相连。
本发明还提供一种有机电激发光显示装置的形成方法,包括:提供基板,其具有第一表面及第二表面;形成多个微透镜于该基板的第一表面;以及形成多个像素结构于该基板的第二表面,每一像素结构具有多个子像素,且任两个相邻像素结构的子像素问的最近距离实质上大于同一像素结构内的子像素间的最近距离。
如上所述的方法,其中任两个相邻像素结构的子像素间的最近距离实质上大于或等于50微米(μm)。
如上所述的方法,其中各该两个相邻像素结构的子像素间的最近距离实质上大于或等于100微米(μm)。
如上所述的方法,其中各该两个相邻像素结构的子像素间的最近距离与该同一像素结构内子像素间的最近距离的比值实质上大于或等于1.5。
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