[发明专利]有机电激发光显示装置、光电装置及其形成方法无效
申请号: | 200710103216.0 | 申请日: | 2007-05-10 |
公开(公告)号: | CN101051649A | 公开(公告)日: | 2007-10-10 |
发明(设计)人: | 赵清烟;萧夏彩;李君浩;魏茂国;林晃岩 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H05B33/12 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 机电 激发 显示装置 光电 装置 及其 形成 方法 | ||
1.一种有机电激发光显示装置,包括:
基板,其具有第一表面及第二表面;
多个微透镜,形成于该基板的第一表面;以及
多个像素结构,形成于该基板的第二表面,每一像素结构具有多个子像素,且任两个相邻像素结构的子像素间的最近距离实质上大于同一像素结构内的子像素间的最近距离。
2.如权利要求1所述的有机电激发光显示装置,其中任两个相邻像素结构的子像素间的最近距离实质上大于或等于50微米。
3.如权利要求1所述的有机电激发光显示装置,其中任两个相邻像素结构的子像素间的最近距离实质上大于或等于100微米。
4.如权利要求1所述的有机电激发光显示装置,其中任两个相邻像素结构的子像素间的最近距离与同一像素结构内的子像素间的最近距离的比值实质上大于或等于1.5。
5.如权利要求1所述的有机电激发光显示装置,其中任两个相邻像素结构的子像素间的最近距离与同一像素结构内的子像素间的最近距离的比值实质上大于或等于2。
6.如权利要求1所述的有机电激发光显示装置,其中每一像素结构包括至少三个子像素。
7.如权利要求1所述的有机电激发光显示装置,其中每一像素结构包括至少四个子像素。
8.如权利要求1所述的有机电激发光显示装置,其中该微透镜具有弧面。
9.如权利要求1所述的有机电激发光显示装置,其中该微透镜的平面轮廓实质上为圆形或实质上为多边形。
10.一种光电装置,包括:
如权利要求1所述的有机电激发光显示装置;以及
电子元件与该有机电激发光显示装置相连。
11.一种有机电激发光显示装置的形成方法,包括:
提供基板,其具有第一表面及第二表面;
形成多个微透镜于该基板的第一表面;以及
形成多个像素结构于该基板的第二表面,每一像素结构具有多个子像素,且任两个相邻像素结构的子像素间的最近距离实质上大于同一像素结构内的子像素间的最近距离。
12.如权利要求11所述的方法,其中任两个相邻像素结构的子像素间的最近距离实质上大于或等于50微米。
13.如权利要求11所述的方法,其中各两个相邻像素结构的子像素间的最近距离实质上大于或等于100微米。
14.如权利要求11所述的方法,其中各两个相邻像素结构的子像素间的最近距离与同一像素结构内子像素间的最近距离的比值实质上大于或等于1.5。
15.如权利要求11所述的方法,其中各相邻像素结构的子像素间的最近距离与同一像素结构内的子像素间的最近距离的比值实质上大于或等于2。
16.如权利要求11所述的方法,其中该微透镜具有弧面。
17.如权利要求11所述的方法,其中该微透镜的平面轮廓实质上为圆形或实质上为多边形。
18.一种光电装置的形成方法,包括如权利要求11所述的有机电激发光显示装置的形成方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的