[发明专利]薄膜晶体管基板及显示器件有效
| 申请号： | 200710103204.8 | 申请日： | 2007-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN101083269A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 川上信之;后藤裕史;日野绫 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L29/43;G02F1/1362;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜晶体管基板，其具有：薄膜晶体管的半导体层；源电极、 漏电极；和透明导电膜，其特征在于，具有所述源电极及漏电极与所述薄 膜晶体管的半导体层直接连接的构造，并且所述源电极及漏电极由含有 0.1～6.0原子％的Ni、0.1～1.0原子％的La、0.1～1.5原子％的Si的Al合金 薄膜构成，并且，泄漏电流在4.0×10-8A以下。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，具有所述 漏电极与所述透明导电膜直接连接的构造。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述半导 体层是多晶硅。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述A1合 金薄膜由溅射法形成。
5.一种显示器件，其特征在于，设有权利要求1～4中任一项所述的 薄膜晶体管基板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社神户制钢所，未经株式会社神户制钢所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710103204.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
