[发明专利]半导体架构及静态随机存取存储器存储单元

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

静态随机存取存储器存储单元，该静态随机存取存储器存储单元包括：

一上拉MOS装置，具有第一驱动电流；

一下拉MOS装置，耦接该上拉MOS装置，且具有第二驱动电流；

一第一通栅MOS装置，耦接该上拉MOS装置及该下拉MOS装置， 且具有第三驱动电流；

一第二通栅MOS装置，耦接该上拉MOS装置及该下拉MOS装置， 且具有该第三驱动电流；以及

一动态功率电路，经由一第一位线耦接至该第一通栅MOS装置，并 经由一第二位线耦接至该第二通栅MOS装置，当该静态随机存取存储器存 储单元在写入操作时，该动态功率电路提供一第一电压至该第一位线上，当 该静态随机存取存储器存储单元在读取操作时，该动态功率电路提供一第二 电压至该第二位线上，其中该第一电压大于该第二电压；

其中，该第一驱动电流与该第三驱动电流具有介于大约0.5至大约1之 间的α比例，且该第二驱动电流与该第三驱动电流具有介于大约1.45至大约 5之间的β比例。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该α比例介于大约0.6至大 约0.7之间。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该β比例介于大约1.8至大 约2.5之间。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该上拉MOS装置与该下拉 MOS装置中至少一个具有非对称架构。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该下拉MOS装置具有第一宽 -长比，该第一通栅MOS装置和该第二通栅MOS装置具有第二宽-长比，且 该第一宽-长比与该第二宽-长比具有介于大约1.8至大约5之间的比例。

6.一种静态随机存取存储器存储单元，该静态随机存取存储器存储单元 包括：

一第一上拉PMOS装置；

一第一下拉NMOS装置，其中，该第一上拉PMOS装置的源极耦接该 第一下拉NMOS装置的源极；

一第二上拉PMOS装置，耦接该第一上拉PMOS装置与该第一下拉 NMOS装置；

一第二下拉NMOS装置，其中，该第二上拉PMOS装置的源极耦接该 第二下拉NMOS装置的源极，且该第一及第二上拉PMOS装置与该第一及 第二下拉NMOS装置形成锁存器；

一第一通栅MOS装置，耦接该第一上拉PMOS装置的源极；

一第二通栅MOS装置，耦接该第一上拉PMOS装置的源极；以及

一动态功率电路，经由一第一位线耦接至该第一通栅MOS装置并经 由一第二位线耦接至该第二通栅MOS装置，当该静态随机存取存储器存 储单元在写入操作时，该动态功率电路提供一第一电压至该第一位线上， 当该静态随机存取存储器存储单元在读取操作时，该动态功率电路提供 一第二电压至该第二位线上，其中该第一电压大于该第二电压；

其中，第一及第二上拉PMOS装置所构成的对与第一及第二下拉NMOS 装置所构成的对中至少一对具有非对称注入区域。

7.如权利要求6所述的静态随机存取存储器存储单元，其中，该静态随 机存取存储器存储单元于写入操作时操作在动态功率下，且于读取操作时操 作在静态功率下。

8.如权利要求6所述的静态随机存取存储器存储单元，其中，该静态随 机存取存储器存储单元的α比例介于大约0.5至大约1之间，且该静态随机 存取存储器存储单元的β比例介于大约1.45至大约5之间，其中该α比例为 该第一或第二上拉PMOS装置的一第一驱动电流对该第一通栅MOS装置和 该第二通栅MOS装置的一第三驱动电流的比例，该β比例为该第一或第二 下拉NMOS装置的一第二驱动电流对该第一通栅MOS装置和该第二通栅 MOS装置的第三驱动电流的比例。