[发明专利]有机发光显示装置无效
| 申请号: | 200710102417.9 | 申请日: | 2007-05-08 |
| 公开(公告)号: | CN101068027A | 公开(公告)日: | 2007-11-07 |
| 发明(设计)人: | 梁善芽;吴允哲;李垠姃;姜垣锡 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘杰;王小衡 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法。具体而言,本发明涉及具有能够提高光传感器光吸收率的挡光层的有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
一般而言,有机发光显示装置为平板显示装置,其中电压可以施加到夹置于两个电极即阳极和阴极之间的多个层,使电子和空穴复合以形成图像。具体而言,传统有机发光显示装置可包括空穴注入层(HIL)、空穴输运层(HTL)、至少一个有机发光层、电子注入层(EIL)、以及电子输运层(ETL)。因此,来自阳极的空穴可以注入到HIL,注入的空穴因此可以通过HTL输运到有机发光层内。类似地,电子可以从阴极注入到EIL,注入的电子因此可以通过ETL输运到有机发光层内。输运的空穴和电子可以在有机发光层内相互复合,从而形成激子并由此发射可见光和形成图像。
有机发光显示装置的传统有机发光层会随时间退化,因此减小了由其发射的光的亮度和/或改变其颜色坐标。从有机发光层发射的光的亮度减小会降低该有机发光显示装置的图像质量及其整体寿命。人们已经尝试了将光传感器结合到有机发光显示装置中以改善其亮度。然而,由于光的干涉,传统的光传感器具有低的光吸收率,由此对有机发光显示装置的亮度控制是有限的。
因此,需要一种有机发光显示装置,其具有能够控制其亮度且呈现改善的光吸收率的光传感器。
发明内容
因此本发明涉及一种有机发光显示装置及其制造方法,其基本上克服了相关技术的一个或多个缺点。
本发明的特征是提供一种有机发光显示装置,其具有能够提高其中的光传感器的光吸收率的挡光层。
本发明的另一个特征是提供一种有机发光显示装置的制造方法,该有机发光显示装置具有能够提高其中的光传感器的光吸收率的挡光层。
本发明的至少一个上述及其他特征与优点可以通过提供一种有机发光显示装置而实现,该有机发光显示装置包括:衬底;位于该衬底上的薄膜晶体管;位于该薄膜晶体管上的钝化层;位于该钝化层上并电连接到该薄膜晶体管的有机发光二极管(OLED);介于该衬底和该OLED之间的光传感器;以及该钝化层上的挡光层。
该挡光层可包括具有低反射率的金属。该金属可以是钼或铬。备选地,该挡光层可包括金属绝缘体混合层。
该挡光层可以是单个连续的膜。备选地,该挡光层可包括多个不连续的分段。该挡光层能够最小化被该光传感器吸收的干涉光。
该光传感器可以与该薄膜晶体管水平分隔。该光传感器可包括N型掺杂区域,与该N型掺杂区域水平分隔的P型掺杂区域,以及介于该N型掺杂区域和该P型掺杂区域之间的本征区域。该光传感器能够吸收从该OLED发射的光并将该吸收光转换成电信号。该电信号能够控制由该OLED产生的光的亮度。
该OLED可具有背发光结构。该OLED可包括第一电极层、有机发光层和第二电极层。
在本发明的另一个方面,提供了一种制造有机发光显示装置的方法,包括在衬底上形成薄膜晶体管,在该衬底上形成光传感器,在该薄膜晶体管上形成钝化层,在该钝化层上形成OLED,以及在该钝化层上形成挡光层。
形成该挡光层可包括沉积厚度为约100埃到约5000埃的金属或不透明绝缘材料。形成该挡光层可包括沉积具有低反射率的金属。
另外,形成该挡光层可包括在该钝化层上沉积多个不连续的分段。该多个分段的各个预定数目的分段可以布置成几何形状。备选地,形成该挡光层可包括在该钝化层上沉积单个连续的层。
附图说明
参照附图详细地描述本发明的示范性实施例,本发明的上述和其他特征及优点对于本领域普通技术人员而言将变得更加显而易见,附图中:
图1示出了根据本发明实施例的有机发光显示装置的剖面视图;
图2A-2B示出了根据本发明另外实施例的有机发光显示装置的平面视图;以及
图3A-3C示出了根据本发明实施例的有机发光显示装置制造工艺的顺序步骤。
具体实施方式
2006年5月3日向韩国知识产权局提交的标题为″Organic LightEmitting Display Device″的韩国专利申请No.10-2006-0040219的全部内容结合于此作为参考。
下文中将参照附图更加全面地描述本发明,其中在附图中示出了本发明的示范性实施例。然而,本发明可以按照不同的形式实施,不应理解为限制于此处所述。相反,提供这些实施例的目的是使公开更为彻底和全面,并全面地向本领域技术人员传达本发明的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





