[发明专利]有机发光显示装置无效
| 申请号: | 200710102417.9 | 申请日: | 2007-05-08 |
| 公开(公告)号: | CN101068027A | 公开(公告)日: | 2007-11-07 |
| 发明(设计)人: | 梁善芽;吴允哲;李垠姃;姜垣锡 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘杰;王小衡 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
衬底;
位于所述衬底上的薄膜晶体管;
位于所述薄膜晶体管上的钝化层;
位于所述钝化层上并电连接到所述薄膜晶体管的有机发光二极管;
介于所述衬底和所述有机发光二极管之间的光传感器;以及
位于所述钝化层上的挡光层。
2.权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述挡光层包括具有低反射率的金属。
3.权利要求2所述的有机发光显示装置,其中所述金属为钼或铬。
4.权利要求2所述的有机发光显示装置,其中所述挡光层包括金属绝缘体混合层。
5.权利要求2所述的有机发光显示装置,其中所述挡光层为单个连续的膜。
6.权利要求2所述的有机发光显示装置,其中所述挡光层包括多个不连续的分段。
7.权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述挡光层能够最小化被所述光传感器吸收的光干涉。
8.权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述光传感器能够吸收从所述有机发光二极管发射的光并将所述吸收光转换成电信号。
9.权利要求6所述的有机发光显示装置,其中所述电信号能够控制由所述有机发光二极管产生的光的亮度。
10.权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述光传感器与所述薄膜晶体管水平分隔。
11.权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述有机发光二极管具有背发光结构。
12.权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述光传感器包括N型掺杂区域、与所述N型掺杂区域水平分隔的P型掺杂区域、以及介于所述N型掺杂区域和所述P型掺杂区域之间的本征区域。
13.权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述有机发光二极管包括第一电极层、发光层和第二电极层。
14.一种制造有机发光显示装置的方法,包括:
在衬底上形成薄膜晶体管;
在所述衬底上形成光传感器;
在所述薄膜晶体管上形成钝化层;
在所述钝化层上形成有机发光二极管;以及
在所述钝化层上形成挡光层。
15.权利要求14所述的制造有机发光显示装置的方法,其中形成所述挡光层包括沉积厚度为约100埃至约5000埃的金属或不透明绝缘材料。
16.权利要求14所述的制造有机发光显示装置的方法,其中形成所述挡光层包括沉积具有低反射率的金属。
17.权利要求14所述的制造有机发光显示装置的方法,其中形成所述挡光层包括在所述钝化层上沉积多个不连续的分段。
18.权利要求17所述的制造有机发光显示装置的方法,其中所述多个分段的各个预定数目的分段布置成几何形状。
19.权利要求14所述的制造有机发光显示装置的方法,其中形成所述挡光层包括在所述钝化层上沉积单个连续的层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社,未经三星SDI株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710102417.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:外框可脱卸的壁挂式水族箱
- 下一篇:惯性定律演示器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





