[发明专利]栅介电层的制造方法

权利要求书

1.一种栅介电层的制造方法，包括：

于硅基底上形成牺牲层；

将氟离子注入该硅基底中；

移除该牺牲层；以及

于该硅基底上形成介电层。

2.如权利要求1所述的栅介电层的制造方法，其中该牺牲层的形成方法包括热氧化法。

3.如权利要求1所述的栅介电层的制造方法，其中将氟离子注入该硅基底中的方法包括离子注入法。

4.如权利要求1所述的栅介电层的制造方法，其中该介电层的形成方法包括热氧化法。

5.如权利要求1所述的栅介电层的制造方法，其中于该硅基底上形成该介电层之后，还包括对该介电层进行氮化工艺。

6.如权利要求5所述的栅介电层的制造方法，其中该氮化工艺包括等离子体氮化工艺。

7.如权利要求5所述的栅介电层的制造方法，其中在对该介电层进行该氮化工艺之后，还包括进行退火工艺。

8.一种核心元件的栅介电层的制造方法，包括：

于硅基底上形成用于第一输入/输出元件的第一介电层；

于该第一介电层上形成图案化掩模层；

以该图案化掩模层为掩模，将氟离子注入该硅基底中；

移除被该图案化掩模层所暴露的部分该第一介电层，以暴露出部分该硅基底；

移除该图案化掩模层；以及

于部分该硅基底上形成第二介电层。

9.如权利要求8所述的核心元件的栅介电层的制造方法，其中该第一介电层的形成方法包括热氧化法。

10.如权利要求8所述的核心元件的栅介电层的制造方法，其中将氟离子注入该硅基底中的方法包括离子注入法。

11.如权利要求8所述的核心元件的栅介电层的制造方法，其中该第二介电层的形成方法包括热氧化法。

12.如权利要求8所述的核心元件的栅介电层的制造方法，其中该第二介电层的厚度小于该第一介电层的厚度。

13.如权利要求8所述的核心元件的栅介电层的制造方法，其中于部分该硅基底上形成该第二介电层之后，还包括对该第二介电层进行氮化工艺。

14.如权利要求13所述的核心元件的栅介电层的制造方法，其中该氮化工艺包括等离子体氮化工艺。

15.如权利要求13所述的核心元件的栅介电层的制造方法，其中在对该第二介电层进行该氮化工艺之后，还包括进行退火工艺。

16.如权利要求8所述的核心元件的栅介电层的制造方法，其中该图案化掩模层的移除方法包括干式蚀刻法。

17.如权利要求8所述的核心元件的栅介电层的制造方法，其中在形成该第一介电层之前，还包括于该硅基底上形成用于第二输入/输出元件的图案化第三介电层。

18.如权利要求17所述的核心元件的栅介电层的制造方法，其中该图案化第三介电层的形成方法包括：

于该硅基底上形成第三介电层；以及

图案化该第三介电层。

19.如权利要求18所述的核心元件的栅介电层的制造方法，其中该第三介电层的形成方法包括热氧化法。

20.如权利要求18所述的核心元件的栅介电层的制造方法，其中该第一介电层的厚度小于该第三介电层的厚度，且该第二介电层的厚度小于该第一介电层的厚度。