[发明专利]制作半导体装置的方法

权利要求书

1、一种制作半导体装置的方法，包含有：

提供半导体基底以及设于该半导体基底上的介电层；

蚀刻该介电层，以于该介电层中形成至少一孔洞结构；

对该半导体基底进行除气工艺，且该除气工艺利用紫外光处理使该介电层中所含的至少一气体选出；

于该孔洞结构的侧壁与底部形成阻障层；以及

于该孔洞结构中填充导电材料。

2.如权利要求1所述的方法，其中该介电层中所含的该气体包含有水气。

3.如权利要求1所述的方法，其中该除气工艺包含有加热该半导体基底的步骤。

4.如权利要求1所述的方法，其中该除气工艺另包含有X光处理，使该介电层中所含的该气体逸出。

5.如权利要求1所述的方法，其中该除气工艺另包含有卤素灯处理，使该介电层中所含的该气体逸出。

6.如权利要求1所述的方法，其中该介电层包含有氟硅玻璃、未掺杂硅玻璃、磷硅玻璃或硼硅玻璃。

7.如权利要求1所述的方法，其中该阻障层包含有钛或氮化钛。

8.如权利要求1所述的方法，其中该导电材料包含有铜金属、铝金属、钨金属或其合金。

9.如权利要求1所述的方法，其中该孔洞结构具有插塞孔洞结构。

10.如权利要求1所述的方法，其中该孔洞结构具有双镶嵌结构。

11.一种制作半导体装置的方法，包含有：

提供半导体基底；

蚀刻该半导体基底，以于该半导体基底中形成至少一孔洞结构；

对该半导体基底进行除气工艺，且该除气工艺利用紫外光处理使该半导体基底中所含的气体逸出；以及

于该孔洞结构中填充绝缘材料。

12.如权利要求11所述的方法，其中该半导体基底中所含的该气体包含有水气。

13.如权利要求11所述的方法，其中该半导体基底包含有硅质基底或硅覆绝缘基底。

14.如权利要求11所述的方法，其中该除气工艺另包含有X光处理，使该半导体基底中所含的该气体选出。

15.如权利要求11所述的方法，其中该除气工艺另包含有卤素灯处理，使该半导体基底中所含的该气体选出。

16.如权利要求11所述的方法，其中填充于该孔洞结构的该绝缘材料作为浅沟槽绝缘结构。

17.一种制作半导体装置的方法，包含有：

对半导体基底进行蚀刻工艺；

提供除气反应室，该除气反应室具有承载基座以及紫外灯；以及

将该半导体基底载入该除气反应室中，利用该紫外灯对该半导体基底进行紫外光处理，使该半导体基底中所含的气体逸出。

18.如权利要求17所述的方法，其中于该紫外光处理步骤之后，将该半导体基底载入物理气相沉积反应室中，以进行物理气相沉积工艺，于该半导体基底上沉积阻障层。

19.如权利要求17所述的方法，其中该除气反应室的该承载基座包含有加热装置，以加热该半导体基底。

20.如权利要求19所述的方法，其中该加热装置在该紫外光处理的同时加热该半导体基底。

21.如权利要求19所述的方法，其中于该加热装置在该紫外光处理之前加热该半导体基底。

22.如权利要求19所述的方法，其中该加热装置在该紫外光处理之后加热该半导体基底。

23.如权利要求17所述的方法，其中该除气反应室另具有X光装置，以对该半导体基底进行X光处理。

24.如权利要求17所述的方法，其中该除气反应室另具有卤素灯，以对该半导体基底进行卤素灯处理。