[发明专利]一种半导体存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710100298.3 | 申请日： | 2007-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN101079423A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 朱一明 | 申请（专利权）人： | 北京芯技佳易微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L21/822;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许静 |
| 地址： | 100084北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体存储器件，包括：
衬底；
形成在所述衬底中的第一阱；以及
位于所述第一阱上的有源器件；
其特征在于，还包括：
深度大于所述第一阱的深度的一个或多个沟槽；
通过所述沟槽形成电气隔离和用于存储信息的浮阱；
所述一个或多个沟槽的深度为传统制造工艺下的深度，而所述第一阱的深度小于所述一个或多个沟槽的深度；
每个所述有源器件具有源端、漏端和栅端，所述源端、漏端作为输出端，用于进行编程来保持表示不同存储信息的正电荷、负电荷或者零电势。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述每个阱包括上部部分沟槽和下部部分沟槽，其中上部部分为传统制造工艺下的沟槽，而下部部分为比该传统制造工艺下的沟槽更窄的沟槽。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述第一阱为n-型阱，所述衬底为p型衬底，所述有源器件为p型金属氧化物半导体pMOS。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述第一阱为p-型阱，所述衬底为深n型阱，所述有源器件为n型金属氧化物半导体nMOS。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述半导体存储器件使用体硅CMOS工艺。
6.一种半导体存储器件制造方法，包括：
提供衬底；
在所述衬底中形成第一阱；
在所述第一阱上形成有源器件；
其特征在于，还包括：
形成深度大于所述第一阱的一个或多个沟槽；
通过所述沟槽形成电气隔离和用于存储信息的浮阱；
所述一个或多个沟槽的深度为传统制造工艺下的深度，而所述第一阱深度小于所述一个或多个沟槽的深度；
每个所述有源器件具有源端、漏端和栅端，对作为输出端的所述源端、漏端进行编程，来保持表示不同存储信息的正电荷、负电荷或者零电势。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
