[发明专利]有机发光显示器及其制造方法有效
| 申请号: | 200710097865.4 | 申请日: | 2007-04-20 |
| 公开(公告)号: | CN101179092A | 公开(公告)日: | 2008-05-14 |
| 发明(设计)人: | 金钟允;崔炳德 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56;H05B33/12;H05B33/10 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭鸿禧;常桂珍 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示器 及其 制造 方法 | ||
本申请参照早期于2006年11月10日在韩国知识产权局提交的题为“有机发光显示器及其制造方法(ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY ANDFABRICATING METHOD THEREOF)”的第10-2006-0111299号韩国专利申请,并要求该韩国专利申请的所有权益,该韩国专利申请结合于此。
技术领域
本发明涉及一种能够使用在薄的装置(如移动电话、个人数字助理等)中的薄的有机发光显示器及其制造方法,其中,在制造过程中或者在制造之后,紫外线不能通过基底透射到有机发光二极管,在制造过程中基底没有被弯曲或损坏,并且减少了制造时间。
背景技术
有机发光二极管(OLED)向荧光或磷光有机材料驱动电流,在所述有机材料中电子和空穴结合,导致OLED发光。OLED显示器通过对例如n行、m列的矩阵进行电压编程或电流编程来显示图像。
基本的OLED包括阳极、有机薄膜层和阴极。如图1所示,有机薄膜层可以包括:发射层(EML),通过在电子和空穴复合时形成激子来发光;电子传输层(ETL),调节电子流的速度;空穴传输层(HTL),调节空穴流的速度;电子注入层(EIL),提高电子的注入效率,该电子注入层可以形成在电子传输层上;空穴注入层(HIL),提高空穴的注入效率,该空穴注入层可以形成在空穴传输层上。
OLED由于例如宽视角、高响应速度和自发射的优点而可以用作小尺寸或大尺寸的运动画面显示器。OLED的功耗低,并且因为不需要背光,所以可以被轻松地构造在平板显示器中。OLED可以以低温制造,并且因为制造工艺简单,所以其可以以低成本制造。近来,随着有机薄膜材料相关技术的快速发展,OLED被认为是平板显示器市场中的成长技术。
然而,由于电子设备(例如移动电话、个人数字助理、笔记本电脑、计算机监视器和电视)正被做得纤薄,所以需要将OLED制造成厚度小于1mm。然而,因为可以用来代替包封技术的保护膜技术还没全面发展,所以难以使OLED的厚度小于1mm。
为了将OLED制造成厚度小于1mm,第2005-340182、2005-222930和2005-22789号日本专利描述了一种制造纤薄OLED的方法,该方法包括:在两个玻璃基底上形成各器件层(即,半导体层和有机发光二极管),以各器件层相互面对的方式附着所述玻璃基底,然后通过蚀刻或磨削去除不包括器件层的基底。然而,根据这个方法,附着和蚀刻或磨削工艺消耗很多时间。根据这个方法,由于几乎完成的玻璃基底被附着,所以玻璃基底、半导体层和OLED器件经常损坏或破裂,导致产品良率低,使得产品成本高。在可选的方案中,可以在通过将玻璃基底制造成厚度小于1mm的基底上形成器件层,然而当所述基底与制造设备接触时,如此薄的玻璃基底会易于导致玻璃基底弯曲或损坏。因此,需要改进OLED的设计并改进制造该OLED的方法,使得通过提高产品良率来更好地限制薄OLED的产品成本。
发明内容
因此,本发明的目的是提供一种改进的薄OLED设计,所述薄OLED可以使用在小装置例如移动电话、个人数字助理等中。
本发明的另一目的是提供一种制造所述OLED的方法,该方法降低了生产成本并缩短了生产时间。
本发明的又一目的是提供一种设计和制造OLED的方法,其中,保护有机发光二极管在OLED的制造期间和之后不暴露于紫外线。
本发明的又一目的是提供一种制造薄OLED的方法,该方法减少了基底在制造期间发生弯曲和损坏。
本发明的又一目的是为了减少制造薄OLED所需的时间,使得生产率更高并降低成本。
可以通过一种有机发光显示器(OLED)来实现这些和其它目的,所述OLED包括:基底;有机发光二极管、绝缘层、栅极绝缘层和半导体层,位于基底上,绝缘层位于有机发光二极管和栅极绝缘层之间,栅极绝缘层位于绝缘层和半导体层之间;非透射层,位于栅极绝缘层上,所述非透射层适于阻挡紫外线。所述OLED还可包括:缓冲层,位于所述基底上;栅极,位于所述栅极绝缘层上;层间介电层,位于所述栅极上;源极/漏极,位于所述层间介电层上,所述绝缘层可以位于所述源极/漏极和所述有机发光二极管之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





