[发明专利]有机发光显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光显示器，包括：

基底；

有机发光二极管、绝缘层、栅极绝缘层和半导体层，位于基底上，绝缘层位于有机发光二极管和栅极绝缘层之间，栅极绝缘层位于绝缘层和半导体层之间；

非透射层，位于栅极绝缘层上，其中，所述非透射层适于阻挡紫外线。

2.如权利要求1所述的有机发光显示器，还包括：

缓冲层，位于所述基底上；

栅极，位于所述栅极绝缘层上；

层间介电层，位于所述栅极上；

源极/漏极，位于所述层间介电层上，其中，所述绝缘层位于所述源极/漏极和所述有机发光二极管之间。

3.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述非透射层位于所述半导体层的外侧。

4.如权利要求2所述的有机发光显示器，其中，所述半导体层和所述源极/漏极通过穿透所述栅极绝缘层和所述层间介电层的导电接触件而连接到一起，所述非透射层位于所述导电接触件的外侧。

5.如权利要求2所述的有机发光显示器，其中，所述非透射层位于所述源极/漏极的下面。

6.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述非透射层位于所述有机发光二极管的下面。

7.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述非透射层的一部分位于与所述有机发光二极管对应的位置。

8.如权利要求2所述的有机发光显示器，其中，所述非透射层包含与所述栅极的材料相同的材料。

9.如权利要求2所述的有机发光显示器，其中，所述非透射层的厚度与所述栅极的厚度相同。

10.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述非透射层包含从由Mo、MoW、Ti、Cu、Al、AlNd、Cr、钼合金、铜合金、铝合金和掺杂的多晶硅构成的组中选择的材料。

11.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述非透射层是紫外线防护剂。

12.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述非透射层包括从由紫外线非透射金属、透明的紫外线防护剂和不透明的紫外线防护剂构成的组中选择的层。

13.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述非透射层包含从由Cr、Cr₂O₃、Al、Au、Ag、MgO和ATD构成的组中选择的材料。

14.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述非透射层的厚度在和之间。

15.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述基底的厚度在0.05mm和1mm之间。

16.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述基底包含从由玻璃、塑料、聚合物和钢构成的组中选择的材料。

17.如权利要求1所述的有机发光显示器，还包括位于所述基底下面的防磨擦层。

18.如权利要求1所述的有机发光显示器，还包括位于所述基底下面的厚度为10μm至100μm的防磨擦层。

19.如权利要求1所述的有机发光显示器，还包括位于所述基底下面的并包含有机材料或无机材料的防磨擦层。

20.一种制造有机发光显示器的方法，包括：

准备两个基底；

将所述两个基底附着到一起；

在所述两个附着的基底的外侧上形成缓冲层；

在每个缓冲层上形成半导体层；

在所述半导体层的外侧上形成非透射层；

在每个半导体层和每个非透射层上形成绝缘层；

在每个绝缘层上形成有机发光二极管；

将所述两个附着的基底分离。

21.如权利要求20所述的方法，在所述形成半导体层的步骤和所述形成非透射层的步骤之间还包括：

在所述半导体层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成栅极。

22.如权利要求21所述的方法，还包括：

在所述半导体层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成栅极，其中，所述形成非透射层与所述形成栅极同时进行。