[发明专利]发光晶体管

说明书

相关申请交叉参考

本申请要求于2006年6月8日向韩国知识产权局提交的第10-2006-0051214号韩国专利申请的权益，其公开内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种发光晶体管，其可以同时获得光学特性和电学特性。

背景技术

通常，发光二极管(LED)产生通过使用半导体p-n结型结构注入的少数载流子(电子或空穴)，并且重新结合少数载流子以便发光。换句话说，如果正向电压施加于半导体的特定元件，电子和空穴在穿过正极与负极之间的接合部分的同时重新结合。由于这种状态下的能量比电子和空穴处于分离的状态下的能量小，因而在这个时候由于产生能量差而发光。

这样的LED可以通过使用低电压而高效率地发光。因此，LED用于家庭用具、遥控装置、电子显示板、标识器、自动化设备等。

同时，大多数半导体电子元件都表现为晶体管，并且由III-V和II-VI族氮化物半导体构成的晶体管被制造成用于各个领域。

然而，几乎从来没有进行过用于发光的晶体管方面的研究。在该技术领域中，需要一种用于获得光学特性和电学特性的新方法。

发明内容

本发明的优点在于，它提供了一种可以同时获得光学特性和电学特性的发光晶体管。

本总发明构思的其它方面和优点将在接下来的描述中部分地进行阐述，且从该描述中将部分地变得显而易见，或者可以通过该总发明构思的实施而获知。

根据本发明的一个方面，发光晶体管包括：第一导电型集电极层，形成于基板上；第二导电型基极层，形成于该集电极层的预定区域上；集电极，形成于该集电极层上未形成有基极层的区域上；第一导电型发射极层，形成于该基极层的预定区域上；基电极，形成于该基极层上未形成有发射极层的区域上；发射电极，形成于该发射极层上；第一激活(activation)层，形成于该集电极层与基极层之间；以及第二激活层，形成于该基极层与发射极层之间。

根据本发明的另一个方面，发光晶体管包括：第一导电型集电极层，形成于基板上；第二导电型基极层，形成于该集电极层的预定区域上；集电极，形成于该集电极层上未形成有基极层的区域上；第一导电型发射极层，形成于该基极层的预定区域上；基电极，形成于该基极层上未形成有发射极层的区域上；发射电极，形成于该发射极层上；以及激活层，形成于该集电极层与基极层之间。

根据本发明的又一方面，发光晶体管包括：第一导电型集电极层，形成于基板上；第二导电型基极层，形成于该集电极层的预定区域上；集电极，形成于该集电极层上未形成有基极层的区域上；第一导电型发射极层，形成于该基极层的预定区域上；基电极，形成于该基极层上未形成有发射极层的区域上；发射电极，形成于该发射极层上；以及激活层，形成于该基极层与发射极层之间。

根据本发明的再一方面，该第一导电型为n-型，而该第二导电型为p-型。

根据本发明的再一方面，该第一导电型为p-型，而该第二导电型为n-型。

根据本发明的再一方面，该集电极层、基极层、发射极层、以及激活层由II-VI或III-V族化合物半导体形成。

根据本发明的再一方面，该II-VI族化合物半导体是ZnSe、ZnTe、ZnSeTe、ZnS、ZnO、CdSe、CdS、CdTe、ZnCdS、ZnCdSe、ZnCdSeTe、ZnCdSTe等。

根据本发明的再一方面，该III-V族化合物半导体是GaAs、GaAlAs、GaInAs、InAs、InP、InSb、GaSb、GaInSb、GaN、GaInN等。

附图说明

通过下面结合附图对实施例的描述，本总发明构思的这些和/或其它方面以及优点将变得明显并且更加容易理解，图中：

图1是示出了根据本发明实施例的发光晶体管的结构的平面图；

图2至图4是沿图1的线I-I′截取的截面图；以及

图5A和图5B分别是示出了根据本发明实施例的发光晶体管的等效电路图和I-V曲线图。

具体实施方式

下面将详细描述本总发明构思的实施例，其实例在附图中示出，通篇中，相同的参考标号表示相同的元件。为了解释本总发明构思，下面参照附图对实施例进行描述。在附图中，为清楚起见，层和区域的厚度被放大了。

下面，将参照图1至图5详细描述根据本发明实施例的发光晶体管。

图1是示出了根据本发明实施例的发光晶体管的结构的平面图，以及图2至图4是沿图1的线I-I′截取的截面图。