[发明专利]发光晶体管无效
| 申请号： | 200710097363.1 | 申请日： | 2007-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101087008A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 文元河;崔昌焕;黄永南 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 晶体管 | ||
1.一种发光晶体管，包括：
第一导电型集电极层，形成于基板上；
第二导电型基极层，形成于所述集电极层的预定区域上；
集电极，形成于所述集电极层上未形成有所述基极层的区域上；
第一导电型发射极层，形成于所述基极层的预定区域上；
基电极，形成于所述基极层上未形成有所述发射极层的区域上；
发射电极，形成于所述发射极层上；
第一激活层，形成于所述集电极层与所述基极层之间，以及
第二激活层，形成于所述基极层与所述发射极层之间。
2.一种发光晶体管，包括：
第一导电型集电极层，形成于基板上；
第二导电型基极层，形成于所述集电极层的预定区域上；
集电极，形成于所述集电极层上未形成有所述基极层的区域上；
第一导电型发射极层，形成于所述基极层的预定区域上；
基电极，形成于所述基极层上未形成有所述发射极层的区域上；
发射电极，形成于所述发射极层上，以及
激活层，形成于所述集电极层与所述基极层之间。
3.一种发光晶体管，包括：
第一导电型集电极层，形成于基板上；
第二导电型基极层，形成于所述集电极层的预定区域上；
集电极，形成于所述集电极层上未形成有所述基极层的区域上；
第一导电型发射极层，形成于所述基极层的预定区域上；
基电极，形成于所述基极层上未形成有所述发射极层的区域上；
发射电极，形成于所述发射极层上，以及
激活层，形成于所述基极层与所述发射极层之间。
4.根据权利要求1所述的发光晶体管，
其中，所述第一导电型是n-型，而所述第二导电型是p-型。
5.根据权利要求1所述的发光晶体管，
其中，所述第一导电型是p-型，而所述第二导电型是n-型。
6.根据权利要求1所述的发光晶体管，
其中，所述集电极层、所述基极层、所述发射极层、以及所述激活层由II-VI族或III-V族化合物半导体形成。
7.根据权利要求6所述的发光晶体管，
其中，所述II-VI族化合物半导体是ZnSe、ZnTe、ZnSeTe、ZnS、ZnO、CdSe、CdS、CdTe、ZnCdS、ZnCdSe、ZnCdSeTe、ZnCdSTe等。
8.根据权利要求6所述的发光晶体管，
其中，所述III-V族化合物半导体是GaAs、GaAlAs、GaInAs、InAs、InP、InSb、GaSb、GaInSb、GaN、GaInN等。
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