[发明专利]涂敷显影装置、基板处理方法以及记录介质

说明书

技术领域

本发明涉及对于例如半导体晶片或LCD基板(液晶显示器用玻璃基板)等的基板进行抗蚀剂液的涂敷处理以及曝光后的显影处理的涂敷显影装置、基板处理方法、以及包括实施该基板处理方法的程序的记录介质。

背景技术

作为半导体设备或LCD基板的制造工艺之一，有下述一连串的工序：在基板上形成抗蚀剂膜并使用光掩模对该抗蚀剂膜曝光，之后通过进行显影处理而得到希望的图案。这样的处理，一般使用在进行抗蚀剂液的涂敷或显影的涂敷、显影装置上连接曝光装置的系统来进行。而且，对于形成有抗蚀剂图案的基板进行既定的检查，例如抗蚀剂图案的线宽、抗蚀剂图案和基底图案的重合情况、显影缺陷等的检查，并仅将判定为合格的基板送到下一个工序。这样的基板的检查大多通过与涂敷、显影装置不同的、另外设置的独立的检查装置来进行。但是，还是采用在涂敷、显影装置内设置基板检查装置的所谓内嵌(inline)系统方便。

在特开2002-33266号公报(0095段)中，公开有采用这样的内嵌系统的涂敷、显影装置.在该文献所公开的装置中，如图14所示，在载体模块(载体区域)P1的里侧连接有处理模块(处理区域)P2以及接口模块(接口区域)P3。进而，在接口模块P3上连接有曝光装置P4。载体模块P1，具有：载置收纳多张基板的载体10的载体台11、和在与载置在载体台11上的载体10之间进行基板的交接的交接臂(载体模块用搬送机构)12。载体10内的基板经由交接臂12被搬入到处理模块P2，在处理模块P2内形成抗蚀剂膜。之后，形成有抗蚀剂膜的基板经由接口模块P3被搬入到曝光装置P4内，进行曝光处理。曝光后的基板经由接口模块P3被搬入到处理模块P2内，在处理模块P2内进行显影处理。显影处理后的基板被交接臂12交接而被搬送到载体模块P1。

在载体模块P1的侧方设置有基板检查单元13，显影处理后的基板从交接臂12经由中间台15以及专用的臂14被搬入基板检查单元13，进行上述既定检查。进行了检查后的基板以相反的路径而被交接给交接臂12，回到原来的载体10内。

但是，若将基板检查单元13连接在载体模块P1以外，例如要将基板检查单元13设置在接口模块P3上，则显影后的基板必须回到接口模块P3侧。因此，基板的搬送变得复杂，导致搬送效率的降低。此外，在接口模块P3上，配置用于吸收其与曝光装置之间的处理速度的差异的缓冲箱或高精度地将基板设定为曝光装置的温度的温度调整单元等。因此，处理模块内的设备配置空间不足，假如若要配置基板检查单元，则必须令接口模块P3大型化.此外，在将基板检查单元13设置在处理模块P2上时，从空间以及搬送通路的角度来说存在问题。

因此，令基板检查单元13与载体模块P1连接。作为这样的结构的大的优点，可举出下述优点：在由于处理模块P2的维修等而停止涂敷、显影处理时，也可通过载体模块P1将来自外部的基板搬入基板检查单元13，即，可单独使用基板检查单元13。

但是，若将基板检查单元13连接在载体模块P1的侧方，则基板检查单元13横向突出。因此，在将涂敷、显影装置与基板检查单元一起设置在清洁室内时，空间的利用效率差，从确保周边设备等的配置或维修空间等的角度来说存在问题。特别是若基板大型化，则例如处理作为基板的半导体晶片(以下称为晶片)时，若晶片W的尺寸在12英寸以上，则基板检查单元13也大型化，问题变得严重。

此外，在特开2006-269672中，公开有在载体模块和处理模块之间设置具有基板检查单元的检查模块的例子。但是，在这样的布置中，包含处理模块的布置而需要大的设置空间。此外，设置在检查模块上的基板的搬送机构要进行载体模块和处理模块之间的基板的交接，并且要进行基板向检查模块的搬送，所以存在该搬送机构的负担变大的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种涂敷、显影装置，在将基板检查单元装入时使占有面积小型化而避免不利的布置。此外，其他的目的在于提供一种在运转涂敷、显影装置并进行处理后的基板的检查时可提高生产量的基板处理方法以及包括用于实施该基板处理方法的程序的记录介质.