[发明专利]涂敷显影装置、基板处理方法以及记录介质有效
申请号: | 200710096608.9 | 申请日: | 2007-04-16 |
公开(公告)号: | CN101055835A | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
发明(设计)人: | 松冈伸明;林田安;林伸一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/677;H01L21/027;H01L21/66;G03F7/00;G02F1/133 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 温大鹏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显影 装置 处理 方法 以及 记录 介质 | ||
1.一种涂敷、显影装置,具有:
处理模块,包括将涂敷膜形成在基板上的多个涂敷膜形成部、和对基板进行显影处理的显影处理部;
载体模块,具有将应形成涂敷膜的基板交给上述处理模块、并且从上述处理模块接收进行了上述显影处理的基板的载体模块用搬送机构;
接口模块,从上述处理模块接收形成有上述涂敷膜的基板并交给曝光装置、且从曝光装置接收曝光后的基板并交给上述处理模块,
上述多个涂敷膜形成部以及上述显影处理部在上述处理模块内上下重叠地配置,
各涂敷膜形成部,具有:处理单元,该处理单元包括将涂敷液涂敷在基板上的一个以上的液处理单元以及对涂敷有涂敷液的基板进行加热的加热单元;和在这些处理单元之间搬送基板的涂敷膜形成部用搬送机构,上述多个涂敷膜形成部中的至少一个具有将抗蚀剂液涂敷在基板上的液处理单元,
上述显影处理部,具有:处理单元,该处理单元包括加热处理曝光后的基板的加热单元以及将显影液涂敷在基板上的液处理单元;和在这些处理单元之间搬送基板的显影处理部用搬送机构,
上述处理模块,还包括:多个交接单元,配置在分别与上述多个涂敷膜形成部以及上述显影处理部对应的高度方向位置上,在与各交接单元所对应的各部之间经由该各部用的搬送机构而进行基板的交接;和在上述多个交接单元之间搬送基板的可升降的交接单元用搬送机构,
上述多个涂敷膜形成部以及上述显影处理部中的至少一个还具有对由该部用的搬送机构搬送来的基板进行检查的基板检查单元.
2.如权利要求1所述的涂敷、显影装置,其特征在于,
具有将上述抗蚀剂液涂敷在基板上的液处理单元的涂敷膜形成部具有检查形成有抗蚀剂膜的基板的基板检查单元,
上述显影处理部具有检查显影处理后的基板的基板检查单元。
3.如权利要求1所述的涂敷、显影装置,其特征在于,上述多个涂敷膜形成部以及上述显影处理部中的至少一个部用的搬送机构,在该部内的载体模块侧和接口模块侧之间延伸的通路上移动,在该搬送机构的移动路径的两侧配置上述处理单元,将上述基板检查单元配置在上述移动路径的至少某一侧。
4.如权利要求1所述的涂敷、显影装置,其特征在于,
上述多个交接单元设置在上述多个涂敷膜形成部以及上述显影处理部的上述载体模块侧,
上述载体模块用搬送机构在其与上述多个交接单元中的至少一个之间交接基板.
5.如权利要求1所述的涂敷、显影装置,其特征在于,上述处理模块具有与上述多个交接单元不同的第2交接单元,该第2交接单元是配置在与上述多个涂敷膜形成部以及上述显影处理部中的某一个部对应的高度方向位置上的至少一个第2交接单元.
6.如权利要求5所述的涂敷、显影装置,其特征在于,
基板在上述处理模块和上述载体模块之间的交接经由上述多个交接单元进行,
基板在上述处理模块和上述接口模块之间的交接经由上述第2交接单元进行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造