[发明专利]复合式金属氧化物半导体电容以及锁相环

权利要求书

1.一种复合式金属氧化物半导体电容，其中包括：

一高电压P型金属氧化物半导体电容，该高电压P型金属氧化物半导体电容的基极耦接一低电压偏压源的电源端；以及

一高电压N型金属氧化物半导体电容，该高电压N型金属氧化物半导体电容的基极耦接该低电压偏压源的地端；

其中，低电压偏压源的电压值与该高电压P型金属氧化物半导体电容的临界电压值的差值近似于该高电压N型金属氧化物半导体电容的临界电压值，

该高电压P型金属氧化物半导体电容的栅极与该高电压N型金属氧化物半导体电容的栅极连接在一起，用以接收一控制电压。

2.如权利要求1所述的复合式金属氧化物半导体电容，其中，该高电压P型金属氧化物半导体电容与该高电压N型金属氧化物半导体电容具有同样的通道长度，该高电压P型金属氧化物半导体电容与该高电压N型金属氧化物半导体电容的宽度之间具比例关系。

3.如权利要求1所述的复合式金属氧化物半导体电容，其中，该复合式金属氧化物半导体电容被应用在一芯片中，该芯片具有一低电压源，该芯片内的组件可分类成高电压组件以及低电压组件，该高电压组件的栅极氧化层厚度大于该低电压组件的栅极氧化层厚度，该复合式金属氧化物半导体电容属于该高电压组件，该低电压偏压源为该低电压源。

4.一种锁相环，其中包括：

一相位频率检测器，量测一参考信号以及一反馈信号的相位差与频率差；

一电荷泵，包括一充电电路以及一放电电路，根据该参考信号与该反馈信号的相位差与频率差切换该充电电路与该放电电路；

一回路滤波器，具有至少一个复合式金属氧化物半导体电容，该电荷泵对该复合式金属氧化物半导体电容充放电以调整该回路滤波器的输出端的电压；以及

一压控振荡器，输出一振荡信号，根据该回路滤波器的输出端的电压调整该振荡信号的频率；

其中，该复合式金属氧化物半导体电容包括：

一高电压P型金属氧化物半导体电容，该高电压P型金属氧化物半导体电容的基极耦接一低电压偏压源的电源端；以及

一高电压N型金属氧化物半导体电容，该高电压N型金属氧化物半导体电容的基极耦接该低电压偏压源的地端；

其中，低电压偏压源的电压值与该高电压P型金属氧化物半导体电容的临界电压值的差值等于该高电压N型金属氧化物半导体电容的临界电压值，

该高电压P型金属氧化物半导体电容的栅极与该高电压N型金属氧化物半导体电容的栅极连接在一起，用以接收一控制电压。

5.如权利要求4所述的锁相环，该锁相环内的组件可分类成高电压组件以及低电压组件，该高电压组件的栅极氧化层厚度大于该低电压组件的栅极氧化层厚度，该回路滤波器的复合式金属氧化物半导体电容属于该高电压组件，该压控振荡器属于该低电压组件。

6.如权利要求5所述的锁相环，更包括一低电压源，该低电压源即该复合式金属氧化物半导体电容所使用的该低电压偏压源，该压控振荡器亦使用该低电压源。

7.如权利要求4所述的锁相环，其中，该复合式金属氧化物半导体电容的高电压P型金属氧化物半导体电容与高电压N型金属氧化物半导体电容具有同样的通道长度，该复合式金属氧化物半导体电容的高电压P型金属氧化物半导体电容与高电压N型金属氧化物半导体电容的宽度之间具有比例关系。

8.如权利要求4所述的锁相环，其中，该回路滤波器更包括：

一电阻，该电阻的第一端耦接该回路滤波器的输出端；

一第一复合式金属氧化物半导体电容，该第一复合式金属氧化物半导体电容的控制端耦接该电阻的第二端；以及

一第二复合式金属氧化物半导体电容，该第二复合式金属氧化物半导体电容的控制端耦接该回路滤波器的输出端。