[发明专利]集成电路设计的制造方法与系统

权利要求书

1.一种集成电路设计的制造方法，包括：

在单一多项目晶片上制作出两种或两种以上的不同集成电路设计；

对包括在所述集成电路设计中的至少一个集成电路设计的区域进行定义，对于该区域的外侧的多项目晶片的至少一部分进行破坏或电路移除，该部分包括所述集成电路设计中的至少一个集成电路设计；以及将经破坏或电路移除的该多项目晶片提供给使用者。

2.如权利要求1所述的集成电路设计的制造方法，其中，对该区域的外侧的多项目晶片的至少一部分进行破坏或电路移除的步骤包括：将两种或两种以上的不同集成电路设计中的至少一个集成电路设计的一部分定义为保留区域，以及对于剩余区域的至少一个集成电路设计的一部分进行破坏或电路移除。

3.如权利要求2所述的集成电路设计的制造方法，其中，对来自该多项目晶片中的至少一个集成电路设计的一部分进行破坏或电路移除的步骤包括：利用激光开槽工艺对所述集成电路设计中的至少一个集成电路设计进行破坏。

4.如权利要求3所述的集成电路设计的制造方法，其中，该激光开槽工艺包括：

当激光光束通过加压流体室时，将该激光光束聚集于喷嘴之上；将液体自该喷嘴射出以引导该激光光束；以及

利用经导引的该激光光束对该多项目晶片中的至少一个集成电路的该部分进行破坏或电路移除。

5.如权利要求2所述的集成电路设计的制造方法，其中，对该多项目晶片中的至少一个集成电路设计的一部分进行破坏或电路移除的步骤包括：利用钻石锯片对所述集成电路设计中的至少一个集成电路设计的该部分进行破坏。

6.如权利要求2所述的集成电路设计的制造方法，其中，对该多项目晶片中的至少一个集成电路设计的一部分进行破坏或电路移除的步骤包括：利用非喷水引导式激光对所述集成电路设计中的至少一个集成电路设计的该部分进行破坏或电路移除。

7.如权利要求1所述的集成电路设计的制造方法，其中，该区域包括来自该使用者的多个集成电路。

8.如权利要求1所述的集成电路设计的制造方法，其中，该区域包括多个非专用成份。