[发明专利]高导热电路基板的制作方法无效
| 申请号: | 200710095881.X | 申请日: | 2007-04-12 |
| 公开(公告)号: | CN101287334A | 公开(公告)日: | 2008-10-15 |
| 发明(设计)人: | 黄续镡;周钟霖 | 申请(专利权)人: | 环宇真空科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H05K3/00 | 分类号: | H05K3/00;H05K1/05;H05K1/09 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王燕秋 |
| 地址: | 台湾省台北县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 导热 路基 制作方法 | ||
1、一种高导热电路基板的制作方法,其特征在于包含下列各步骤:
a)提供一金属基板;
b)在所述金属基板表面形成一绝缘层;
c)在所述氧化层表面形成一中间介层;
d)以电化学技术在所述中间介层表面形成一导电主层。
2、如权利要求1所述高导热电路基板的制作方法,其特征在于:步骤a)中的所述金属基板,为选自铝、镁、钛以及其合金所构成族群中的其中一种。
3、如权利要求1所述高导热电路基板的制作方法,其特征在于:步骤b)中的所述绝缘层,是以电化学激化阳极处理形成,利用草酸(H2C2O4)为工作溶液,预定工作电压为260~400Volts,预定工作电流为1~6A/dm2。
4、如权利要求1所述高导热电路基板的制作方法,其特征在于:步骤b)中的所述绝缘层,为所述金属基板表面的化合物。
5、如权利要求1所述高导热电路基板的制作方法,其特征在于:步骤c)的所述中间介层,按照形成顺序区分为一第一介层以及一导电介层,所述第一介层介于所述绝缘层以及所述导电介层之间。
6、如权利要求5所述高导热电路基板的制作方法,其特征在于:步骤c)的所述第一介层,为镁、铝、钛、钒、铬、镍、锆、钼、钨以及其化合物。
7、如权利要求6所述高导热电路基板的制作方法,其特征在于:步骤c)的所述第一介层为氧化钛。
8、如权利要求5所述高导热电路基板的制作方法,其特征在于:步骤c)的所述导电介层,为选自铝、钴、镍、铜、锌、银、锡、铂以及金其中之一。
9、如权利要求5所述高导热电路基板的制作方法,其特征在于:步骤d)的所述导电主层形成于所述中间介层的导电介层表面。
10、如权利要求5所述高导热电路基板的制作方法,其特征在于:步骤d)的所述导电介层的厚度在1μm以下。
11、如权利要求1所述高导热电路基板的制作方法,其特征在于:步骤d)的所述导电主层,为选自铝、钴、镍、铜、锌、银、锡、铂以及金其中之一。
12、如权利要求1所述高导热电路基板的制作方法,其特征在于:步骤d)的所述导电主层的厚度在13μm以上。
13、如权利要求1所述高导热电路基板的制作方法,其特征在于:步骤b)的所述绝缘层以氮化处理形成,为所述金属的氮化物。
14、如权利要求1所述高导热电路基板的制作方法,其特征在于:步骤b)的所述绝缘层,同时以氮化及氧化处理形成,为所述金属的氮氧化合物。
15、如权利要求1所述高导热电路基板的制作方法,其特征在于:在步骤c)的中间介层及步骤d)的导电层均成型一预定图案。
16、如权利要求1所述高导热电路基板的制作方法,其特征在于:步骤d)的所述导电层,选用铣削、mask侵蚀其中的一种方式形成一预定图案。
17、如权利要求1所述高导热电路基板的制作方法,其特征在于:步骤d)的电化学技术为电镀技术。
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