[发明专利]在减少低－k介电材料损伤的同时去除掩模材料的方法

权利要求书

1、一种用于在工艺腔室内从衬底去除掩模材料的方法，该方法包括：

(a)提供衬底，该衬底具有暴露的低-k材料和待去除的掩模材料；

(b)在第一时间周期将所述掩模材料暴露于由还原性化学物质形成的第一等离子中；以及

(c)在第二时间周期将所述掩模材料暴露于由氧化性化学物质形成的第二等离子体中。

2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述还原性化学物质包括氨气、氢气、甲烷和氮气至少其中之一。

3、根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述还原性化学物质的所述流速在大约100-1000sccm的范围内，以及所述处理腔室保持在大约2mTorr至300mTorr之间的压力下。

4、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化性化学物质包括氧气、一氧化碳、二氧化碳和水蒸气的至少其中之一。

5、根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述氧化性化学物质的所述流速在大约10-500sccm的范围内，以及所述处理腔室保持在小于或等于约100mTorr的压力下。

6、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二等离子体还包括至少一种稀释气体。

7、根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述至少一种稀释气体包括氦、氩和氙的至少其中之一。

8、根据权利要求6所述的方法，其特征在于，以稀释气体与氧化性化学物质在约1∶1至5∶1之间的比率提供所述稀释气体设置。

9、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(c)在所述步骤(b)之前发生。

10、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一时间周期在约10-1000秒之间而所述第二时间周期在约10-300秒之间。

11、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括重复步骤(b)或(c)至少其中之一前面发生的步骤。

12、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

首先执行所述步骤(b)或(c)中的一个步骤；

执行所述步骤(b)或(c)中的另一步骤；以及

重复所述首先执行步骤。

13、一种含有软件的计算机可读媒体，当通过计算机执行该软件时，该软件促使处理系统在工艺腔室内从具有暴露的低-k材料的衬底去除掩模材料，该媒体包括：

(a)在第一时间周期将所述掩模材料暴露在由还原性化学物质形成的第一等离子体中；以及

(b)在第二时间周期将所述掩模材料暴露在由氧化性化学物质形成的第二等离子体中。

14、根据权利要求13所述的计算机可读媒体，其特征在于，所述还原性化学物质包括氨、氢、甲烷和氮至少其中之一。

15、根据权利要求13所述的计算机可读媒体，其特征在于，所述还原性化学物质的所述流速在大约100-1000sccm的范围内，以及所述处理腔室保持在大约2mTorr至300mTorr之间的一压力下。

16、根据权利要求13所述的计算机可读媒体，其特征在于，所述氧化性化学物质包括氧、一氧化碳、二氧化碳和水蒸气至少其中之一。

17、根据权利要求13所述的计算机可读媒体，其特征在于，所述氧化性化学物质的所述流速在大约10-500sccm的范围内，以及所述处理腔室保持在小于或等于约100mTorr的压力下。

18、根据权利要求13所述的计算机可读媒体，其特征在于，所述第二等离子体还包括至少一种稀释气体，所述稀释气体包括氦、氩和氙至少其中之一。

19、根据权利要求18所述的计算机可读媒体，其特征在于，以稀释气体与氧化性化学物质为1∶1至5∶1之间的比率提供所述稀释气体。

20、根据权利要求13所述的计算机可读媒体，其特征在于，所述第一时间周期约为10-1000秒之间，所述第二周期时间约为10-300秒之间。

21、根据权利要求13所述的计算机可读媒体，其特征在于，还包括重复所述步骤(a)或(b)至少其中之一前面发生的步骤。