[发明专利]DRAM单元晶体管器件和方法

权利要求书

1.一种形成存储器件的方法，所述方法包括：

提供包含表面区域的衬底；

在所述衬底之内形成阱结构，所述形成阱结构包括在所述衬底之内形成P-阱区域，所述P-阱区域中硼的掺杂浓度是1-7×10¹⁵/cm³；

在所述阱结构之内形成隔离区；

提供覆盖在所述阱结构上延伸的所述表面区域的保护层，所述保护层是二氧化硅层或氮化物层；

沉积覆盖所述保护层的光刻胶层；

通过选择性地除去一部分光刻胶以暴露覆盖第一区域的所述保护层同时保留覆盖第二区域的所述光刻胶来图案化所述光刻胶；

使用所述图案化的光刻胶作为掩模，将用于调节阈值电压的P-型杂质注入所述第一区域，所述P-型杂质的剂量是2-5×10¹¹/cm²或10¹²/cm²；

保持所述第二区域基本上没有所述用于调节阈值电压的杂质；

除去所述光刻胶掩模；

提供覆盖所述表面区域的栅极介电层；

在所述栅极介电层上形成栅极叠层，所述栅极叠层包括覆盖多晶硅层的硅化物层；

使用所述栅极叠层作为掩模将杂质注入所述衬底，以形成轻度掺杂的漏极结构；

在所述栅极叠层的侧面上提供间隔物；

通过离子注入剂量为1-7×10¹⁵/cm²的N-型掺杂剂，形成源极区和漏极区；

在所述源极区上提供接触结构，所述接触结构与所述源极区之间的结区基本上在第二区域之内；和

提供电荷储存电容器，所述电容器通过所述接触结构与所述源极区电接触。

2.如权利要求1所述的形成存储器件的方法，其中将P-型杂质注入所述第一区域包括注入包含硼的杂质。

3.如权利要求1所述的形成存储器件的方法，其中形成隔离区包括形成浅沟槽隔离区。

4.如权利要求1所述的形成存储器件的方法，其中形成栅极叠层包括：

在所述栅极介电层上沉积多晶硅层；

沉积覆盖所述多晶硅层的金属层；

形成硅化物层；和

图案化所述硅化物层和所述多晶硅层。

5.如权利要求4所述的形成存储器件的方法，其中形成源极区和漏极区包括：使用所述图案化栅极叠层作为掩模，将N-型杂质注入所述衬底。

6.如权利要求1所述的形成存储器件的方法，其中提供电荷储存电容器包括：

提供第一导电层；

形成覆盖所述第一导电层的介电层；

形成覆盖所述介电层的第二导电层；和

图案化所述第二导电层。

7.如权利要求1所述的形成存储器件的方法，其中所述第一区域包括多个分离的区域。

8.如权利要求1所述的形成存储器件的方法，其中所述第二区域包括多个分离的区域。