[发明专利]通孔及双镶嵌结构的形成方法

权利要求书

1.一种通孔的形成方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底；

在所述衬底上形成刻蚀停止层；

在所述刻蚀停止层上形成介质层；

检测所述介质层的厚度；

根据所述介质层的厚度确定随后的刻蚀工艺的工艺条件；

在所述介质层上形成通孔图形；

按照所述工艺条件对所述介质层进行刻蚀，使刻蚀停止于所述刻蚀停止层内，以形成通孔，所述刻蚀工艺条件包括根据刻蚀深度与刻蚀时间之间的线性关系，通过改变刻蚀时间来调整刻蚀深度。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述介质层为低k值的介质层。

3.如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于：所述介质层为黑钻石材料层。

4.如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于：所述介质层的厚度在3500至5000之间。

5.如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于：所述介质层利用化学气相沉积方法形成。

6.如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于：所述工艺条件包括刻蚀时间。

7.如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于：所述工艺条件至少包括工作室气压，刻蚀气体流量或刻蚀功率中的一种。

8.如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于：所述刻蚀停止层为含氮的碳化硅层。

9.一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底；

在所述衬底上形成刻蚀停止层；

在所述刻蚀停止层上形成第一介质层；

检测所述第一介质层的厚度；

根据所述第一介质层的厚度确定随后的刻蚀工艺的工艺条件；

在所述第一介质层上形成通孔图形；

按照所述工艺条件对所述第一介质层进行刻蚀，使刻蚀停止于所述刻蚀停止层内，以形成通孔，所述刻蚀工艺条件包括根据刻蚀深度与刻蚀时间之间的线性关系，通过改变刻蚀时间来调整刻蚀深度；

在所述第一介质层上及通孔内形成第二介质层；

在所述第二介质层上形成沟槽图形；

刻蚀形成与至少一个通孔相连的沟槽。

10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于：所述第一介质层为低k值的介质层。

11.如权利要求9或10所述的形成方法，其特征在于：所述第一介质层为黑钻石材料层。

12.如权利要求9或10所述的形成方法，其特征在于：所述第一介质层的厚度在3500至5000之间。

13.如权利要求9或10所述的形成方法，其特征在于：所述第一介质层利用化学气相沉积方法形成。

14.如权利要求9或10所述的形成方法，其特征在于：所述刻蚀停止层为含氮的碳化硅层。

15.如权利要求9或10所述的形成方法，其特征在于：所述工艺条件包括刻蚀时间。

16.如权利要求9或10所述的形成方法，其特征在于：所述工艺条件至少包括工作室气压，刻蚀气体流量或刻蚀功率中的一种。

17.如权利要求9或10所述的形成方法，其特征在于：所述第二介质层利用旋涂方法形成。